高効率裏面コンタクト型ヘテロ接合シリコン太陽電池の研究開発

高效背接触异质结硅太阳能电池的研发

• 批准号: 06F06174
• 负责人: 上迫 浩一
• 金额: $ 1.54万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06F06174/
• 关键词: ヘテロ接合太陽電池; アモルファスシリコン薄膜; パッシベーション; 実効ライフタイム; ゲッタリング; アモファスシリコン薄膜; パッシベーション効果

1.n型シリコンインゴットの品質評価と品質改善結晶シリコンとアモルファスシリコンを組み合わせたヘテロ接合太陽電池の高効率化を図るため,各種凝固条件で作製したn型多結晶シリコンインゴットの品質評価と,ゲッタリングと水素パッシベーションによる品質改善を行った。更にSRHキャリア再結合モデルによる解析を行った。その結果,ゲッタリングと水素パッシベーションによって,キャリアの実効ライフタイムが約100μsから約500μsまで大きく向上することを実証した。また解析の結果,p型シリコンに比べて,n型シリコンの方がが不純物であるFeの影響が小さいこと,およびライフタイムが基板抵抗率の減少と共に減少する特性について明らかにした。2.ヘテロ接合太陽電池用シリコン薄膜の形成と評価リモートプラズマCVD法により,ヘテロ接合太陽電池用シリコン薄膜の作製を行い,その膜特性および単結晶基板と多結晶シリコン基板へのパッシベーション効果について調べた。その結果,100℃〜400℃の成膜温度によって水素結合状態および光学ギャップが大きく変化することが確かめられ,その特性が,キャリアの実効ライフタイムに強く反映されることを明らかにした。本実験では,250℃で成膜した薄膜がパッシベーション効果が最も高くなる結果が得られた。250℃以下で成膜した薄膜を更に350℃で熱アニールすることによってパッシベーション効果が大幅に改善されることが分かった。

1. Quality evaluation and quality improvement of n-type polycrystalline silicon and crystalline silicon in combination with high efficiency of bonded solar cells. Quality evaluation and quality improvement of n-type polycrystalline silicon and crystalline silicon under various solidification conditions. The SRH was reorganized and analyzed. As a result, the temperature of the liquid phase changed from about 100 μ s to about 500 μ s, and the temperature of the liquid phase changed from about 100μs to about 500μs. As a result of the analysis, the influence of Fe on the impurity content of p-type and n-type impurities is smaller than that of p-type and n-type impurities. 2. The formation and evaluation of thin film for solar cells by CVD method, the preparation of thin film for solar cells by CVD method, the film characteristics of single crystal substrate and polycrystalline silicon substrate, and the adjustment of film characteristics. As a result, the film formation temperature of 100 ℃ ~ 400℃ changes the binding state of water element and the optical properties. In this paper, the film was formed at 250 ℃, and the results were the highest. Film formation below 250℃ and thermal stability at 350℃ are greatly improved.

项目成果

Effect of Annearing Tmperature on a-Si:H Films for Heterojunction Solar Cells

退火温度对异质结太阳能电池a-Si:H薄膜的影响

• 发表时间: 2007
• 期刊: Tchnical Digest of 17th Photovoltaic Science and Enginering Conference
• 作者: Piskurek;O.;Austin;C.C.;Okada;N;Oliver Piskurek;M. Dhamrin;K. Kawachi;K. Kawachi
• 通讯作者: K. Kawachi

Characterization of the Intrinsic a-Si:H layer prepared by Remote-PECVD for Heteroiunction Solar Cells

异质结太阳能电池远程 PECVD 制备的本征 a-Si:H 层的表征

• 发表时间: 2007
• 期刊: Proc. 22th European Photovoltaic Solar Enerav Conference
• 作者: Piskurek;O.;Austin;C.C.;Okada;N;Oliver Piskurek;M. Dhamrin;K. Kawachi
• 通讯作者: K. Kawachi

Realization of Extremely High Diffusion Lengths in Low-Resistivity B-Doped Multicrystalline Solar Cells

在低电阻率 B 掺杂多晶太阳能电池中实现极高的扩散长度

• 发表时间: 2006
• 期刊: Proc.21^<th> European Photovoltaic Solar Energy Conference
• 作者: Piskurek;O.;Austin;C.C.;Okada;N;Oliver Piskurek;M. Dhamrin;K. Kawachi;K. Kawachi;M.Dhamrin
• 通讯作者: M.Dhamrin

Effect of Temperature in a-Si : H Formation for Heterojunction Solar Cells by Remote-PECVD

远程 PECVD 异质结太阳能电池中温度对 a-Si:H 形成的影响

• 发表时间: 2006
• 期刊: Proc. Renewable Energy
• 作者: K. Kawachi;M. Joen;K. Kamisako
• 通讯作者: K. Kamisako

Realization of High Minority-Carrier Properties in Low-Resistivityn-Type Multicrystalline Silicon

低电阻率n型多晶硅中高少数载流子特性的实现

• 发表时间: 2007
• 期刊: Proc. 22th European Photovoltaic Solar Enerev Conference
• 作者: Piskurek;O.;Austin;C.C.;Okada;N;Oliver Piskurek;M. Dhamrin
• 通讯作者: M. Dhamrin