中低温イオン液体を用いた新規アモルファスシリコン薄膜形成法
中低温イオン液体を用いた新規アモルファスシリコン薄膜形成法
批准号:
20656117
负责人:
野平 俊之
金额:
$2.18万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2008
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2008 至 2009
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英文摘要
太陽電池用シリコン薄膜を安価かつ大:量に製造するためには、電析法によるシリコン薄膜形成が有望である。本研究では、申請者が開発した中低温イオン液体であるZnCl2-NaCl-KCl系(使用温度200-250℃)やZnCl2-EMPyrCI系(使用温度100-200℃)を電解質として用い、高品質なアモルファスシリコン薄膜を電析させることを目的としている。平成21年度は、前年度に引き続きシリコン源としてSiCl4を用いて実験を行った。実験温度が200-250℃の場合に有望なZnCl2-NaCl-KCl系について、常圧ではSiCl4溶解度が低いが、加圧することで溶解度が上昇することが分かった。次に、ZnCl2-EMPyrCl系(ZnCl2:EMPyrCl=50:50mol%)において、作用極にニッケル板、対極にはグラッシーカーボンロッド、参照極には亜鉛線を用い、アルゴン雰囲気下のグローブボックス内で、ヒーターにより浴温を150℃に保持して電析実験を行った。定電位電解によりサンプルを作成し、XPS、SEM、EDXにより分析した結果、シリコンが電析されたことが示唆された。特に、その電析速度は1時間で約10μmと、室温イオン液体TMHATFSA系と比較して約100倍であることが分かった。
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DOI:
10.1149/1.2952190
发表时间:
2008-09
期刊:
Electrochemical and Solid State Letters
影响因子:
--
作者:
[Yusaku F. Nishimura;Y. Fukunaka;T. Nishida;T. Nohira;R. Hagiwara]
通讯作者:
Yusaku F. Nishimura;Y. Fukunaka;T. Nishida;T. Nohira;R. Hagiwara
DOI:
10.5796/electrochemistry.77.683
发表时间:
2009-08
期刊:
Electrochemistry
影响因子:
2.5
作者:
[Yusaku F. Nishimura;T. Nohira;T. Morioka;R. Hagiwara]
通讯作者:
Yusaku F. Nishimura;T. Nohira;T. Morioka;R. Hagiwara
In Situ Kaman Spectroscopy Studies of the Electrolyte-Substrate Interface during Electrodeposition of Silicon in a Room-Temperature Ionic Liquid
室温离子液体中硅电沉积过程中电解质-基底界面的原位卡曼光谱研究
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
ECS Transactions 16(24)
影响因子:
--
作者:
[Y.Nishimura, Y.Fukunaka, C.R.Miranda, T.Nishida, T.Nohira, R.Hagiwara]
通讯作者:
R.Hagiwara
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yusaku Nishimura, Toshiyuki Nohira, Tetsuo Nishida, Caetano R. Miranda, Yasuhiro Fukunaka, Rika Hagiwara]
通讯作者:
Rika Hagiwara
XPS study and optical properties of Si films electrodeposited in a room-temperature ionic liquid
室温离子液体中电沉积硅薄膜的 XPS 研究及光学性质
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
ECS Transactions 13
影响因子:
--
作者:
[Y. Nishimura, Y. Fukunaka, T. Nohira, T. Goto, K. Hachiya, T. Nishida, R. Hagiwara]
通讯作者:
R. Hagiwara
共 8 条
使用済み耐火物のクライオライト系電解質への溶解および電解還元メカニズムの解明
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批准号:22F21749
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2022
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负责人:野平 俊之
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依托单位:
New production process of solar-grade silicon utilizing liquid zinc cathode
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批准号:21H04620
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$26.71万
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财政年份:2021
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负责人:野平 俊之
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依托单位:
使用済み耐火物のクライオライト系電解質への溶解および電解還元メカニズムの解明
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批准号:21F21749
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2021
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负责人:野平 俊之
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依托单位:
新溶融塩電解法によるシリカからのソーラーグレードシリコン製造
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批准号:16686044
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额:$19.14万
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财政年份:2004
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负责人:野平 俊之
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依托单位:
溶融塩中でのシリカの直接電解還元による高純度シリコン製造
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批准号:15656191
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2003
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负责人:野平 俊之
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依托单位:
溶融塩電気化学プロセスを用いた新規なシランガス生成法
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批准号:12750650
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2000
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负责人:野平 俊之
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依托单位:
海外基金