巨大クラスターイオン衝撃による極端環境場を利用した超高感度材料分析

利用巨团簇离子轰击引起的极端环境场进行超灵敏材料分析

基本信息

  • 批准号:
    06J02328
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.18万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2006 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

二次イオン質量分析法(SIMS)は重要な表面分析法の1つであるが、近年半導体や金属材料においては表面局所分析の感度向上や数ナノメートルオーダの深さ方向分解能が要求され、また有機無機の混在する多層膜や生体組織中の生体高分子についてはそれらの分子を破壊することなくイオン化することも求められている。しかし既存のSIMS装置でプローブとして使われている単原子や二原子分子のイオンビームを用いる限り、これまでのSIMS分析の性能向上や有機物でのSIMSによる深さ方向分析は原理的に不可能であった。本研究ではそれらの現状を打破する技術としてサイズが数100原子以上の巨大クラスターをプローブとして用いることを提唱している。第3年度目の研究では有機物試料で実際にSIMSによる深さ方向分析を実施するため、ビームスキャン用ディフレクタを設置し、かつエッチングと分析を連続的に行なえるシステムを構築した。実験ではITO/GLASS基板上にスピンコーティング法により作製したPoly methyl methacrylate、Polystyrene、Polycarbonate等の代表的な高分子薄膜試料(膜厚は数10nmから100nm程度)や真空蒸着法により作製した有機物半導体材料からなる多層膜試料を5.5keVのArクラスタービームを用いて分析した。この実験ではエッチングを続けても有機物試料と基板との界面に到達するまで二次イオン強度は一定を維持し、界面に到達した後ではそのシグナルは速やかに減少した。少なくとも二桁以上のダイナミックレンジが得られたため、有機物試料と基板との界面は容易に判別可能であった。また深さ方向分解能の指標となる二次イオン強度の84-16%遷移距離は10nm以下と非常に高い深さ方向分解能が得られることも判明した。
Secondary SIMS is an important surface analysis method. In recent years and a half Conductor metal material surface area analysis の sensitivity upward や number ナノメー トルオーダのdepth さDirectional decomposition energy is required for organic and inorganic polymers mixed in multi-layered membranes and biological tissues.についてはそれらのmoleculeを波壊することなくイオン化することもquest められている.しかしExisting SIMS device でプローブとして用われている単atomic や二atomicmolecule のイオンビームを用いるlimitり, The performance of SIMS analysis of organic matter is improved, and the principle of deep direction analysis of organic matter SIMS is impossible. This research is based on the current status of the research and the breakthrough technology. Counting 100 atoms The above huge クラスターをプローブとして uses the いることをしている. The purpose of the third year's research is to analyze the direction of the organic matter sample and SIMS' deep direction, and to analyze the direction of the organic matter sample. The キャン uses the ディフレクタを setting し, the かつエッチングと analysis を even the に行なえるシステムを construction した.実験ではITO/GLASS substrate made of polymethyl polymethyl by にスピンコーティング法Typical polymer film samples of methacrylate, Polystyrene, Polycarbonate, etc. (film thickness: 10 nm) 00nm level) The organic semiconductor material multilayer film sample was produced by the vacuum evaporation method and the 5.5keV Array was analyzed using the vacuum evaporation method.この実験ではエッチングを続けてもOrganic sample and substrateとのInterfaceにarriveするまでSecondaryイThe strength of the interface is maintained at a certain level, and the speed of the interface is reduced after the interface is reached. It is easy to distinguish the interface between the organic sample and the substrate and the interface between the organic sample and the substrate is easy and possible. The index of decomposition energy in the deep direction is that the secondary strength is 84-16%, and the migration distance is below 10 nm.

项目成果

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专利数量(0)
Precise and fast SIMS depth profiling of polymer materials with large Ar cluster ion beams
使用大型 Ar 团簇离子束对聚合物材料进行精确快速的 SIMS 深度分析
高速重イオンを利用したイメージング質量分析
使用高速重离子的成像质谱分析
Ion-Induced Emission of Amino Acid Molecular Ions from Thin Films
薄膜中氨基酸分子离子的离子诱导发射
巨大Arクラスター衝突によりSiから生成される二次イオンにおける入射速度効果
入射速度对巨型 Ar 团簇碰撞产生的 Si 二次离子的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中道優介;丸山如江;三上文三;橋本渉;村田幸作;金子 守恵;Satoshi Ninomiya;丸山 如江;金子 守恵;二宮啓;丸山 如江;金子 守恵(重田眞義と共著);二宮啓;Satoshi Ninomiya;金子 守恵;Satoshi Ninomiya;金子 守恵;Morie Kaneko;二宮 啓;金子守恵;二宮 啓
  • 通讯作者:
    二宮 啓
サイズ選別した巨大アルゴンクラスターイオン衝撃による生体局分子試料の二次イオン測定
通过尺寸选择的巨型氩团簇离子轰击对生物分子样品进行二次离子测量
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中道優介;丸山如江;三上文三;橋本渉;村田幸作;金子 守恵;Satoshi Ninomiya;丸山 如江;金子 守恵;二宮啓;丸山 如江;金子 守恵(重田眞義と共著);二宮啓;Satoshi Ninomiya;金子 守恵;Satoshi Ninomiya;金子 守恵;Morie Kaneko;二宮 啓;金子守恵;二宮 啓;Morie Kaneko;S.Ninomiya;金子守恵;S.Ninomiya;Morie Kaneko;S.Ninomiya;Morie Kaneko;S.Ninomiya;金子 守恵;二宮 啓;二宮 啓;二宮 啓
  • 通讯作者:
    二宮 啓
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    2007
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  • 作者:
    中道優介;丸山如江;三上文三;橋本渉;村田幸作;金子 守恵;Satoshi Ninomiya;丸山 如江;金子 守恵;二宮啓;丸山 如江;金子 守恵(重田眞義と共著);二宮啓;Satoshi Ninomiya;金子 守恵;Satoshi Ninomiya;金子 守恵;Morie Kaneko;二宮 啓;金子守恵;二宮 啓;Morie Kaneko;S.Ninomiya;金子守恵;S.Ninomiya;Morie Kaneko;S.Ninomiya;Morie Kaneko;S.Ninomiya;金子 守恵;二宮 啓;二宮 啓;二宮 啓;金子 守恵;金子 守恵
  • 通讯作者:
    金子 守恵

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