Control of Silicon Nanostructure Oxidation by Nitrogen Doping

氮掺杂控制硅纳米结构氧化

• 批准号: 18360027
• 负责人: UEMATSU Masashi
• 金额: $ 11万
• 依托单位: Keio University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18360027/
• 关键词: 表面・界面物性; マイクロ・ナノデバイス; 計算物理; シリコン酸窒化; 自己拡散; マイクロ・ナのデバイス

シリコンナノ構造の酸化において、酸化膜に窒素を添加することにより、酸化形状の制御、および、酸化誘起歪・応力を変調できることを明らかにした。酸化膜への窒素添加の効果を原子レベル理論計算、マクロレベルシミュレーション計算で予測し、ナノ構造酸窒化実験を行った。窒素をシリコン・酸化膜界面へ局所的に導入することにより酸化膜の粘性が増加し、シリコン内部に生じる歪・応力が大きくなることを明らかにした。これにより窒素添加が単電子トランジスタの室温動作実現に有効であることを示した。

In the process of acidizing, the asphyxiant of acidizing film is added, the shape of acidizing is controlled, the force of acidizing is distorted, and the strength of acidizing is increased. The acidified film was treated with asphyxiant and the atom was added to the acidified film. The theoretical calculation was carried out. The interface of the acidizing film is affected by the viscosity of the acidified film and the strength of the inside of the acidified film. After the addition of asphyxiant, the room temperature operation has been shown in the room temperature operation.

项目成果

シリコンのドライ酸化とウェット酸化の統一運動理論

硅干湿氧化统一动力学理论

• 发表时间: 2007
• 作者: 渡邉 孝信;大泊 巌
• 通讯作者: 大泊 巌

分子動力学法によるSiO_2/Si界面近傍のボイド分布の解析

分子动力学方法分析SiO_2/Si界面附近的孔隙分布

• 发表时间: 2007
• 作者: 太田 洋道;大泊 巌
• 通讯作者: 大泊 巌

A New Kinetic Equation for Thermal Oxidation of Silicon Replacing the Deal-Grove Equation

取代Deal-Grove方程的新硅热氧化动力学方程

• 发表时间: 2007
• 期刊: Journal of Electrochemical Society 154
• 作者: T.Watanabe;I.Ohdomari
• 通讯作者: I.Ohdomari

Physical Model of Electron and Hole Traps in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor (MONOS) for Embedded Flash Memories

嵌入式闪存金属氧化物氮化物氧化物半导体 (MONOS) 中电子和空穴陷阱的物理模型

• 发表时间: 2006
• 期刊: Extended Abstracts of 2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices
• 作者: M. Takihara;T. Ujihara;T. Takahashi;松田 巌;Hiroyuki Kageshima;Kenji Shiraishi
• 通讯作者: Kenji Shiraishi

Enhanced Oxygen Self-Diffusion in SiO_2 during Si Thermal Oxidation : Effect of the SiO_2/Si Interface

Si热氧化过程中SiO_2中氧自扩散增强:SiO_2/Si界面的影响

• 发表时间: 2006
• 作者: T. Iwasaki;M. Miura;C Matsuchima;M. Yamanari;S. Makita and Y. Yasuno;廣瀬和之;Y. Kozawa;H. Kageshima;廣瀬和之;H. Kawauchi;M. Uematsu
• 通讯作者: M. Uematsu