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Diffusion control in silicon by co-implanted carbon
通过共注入碳控制硅中的扩散
基本信息
- 批准号：24560413
- 负责人：
- 金额：$ 3.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Initial reaction processes on SiC surfaces during thermal oxidation: A first-principles study
热氧化过程中 SiC 表面的初始反应过程：第一性原理研究
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ayako Ito;Toru Akiyama;Kohji Nakamura;Tomonori Ito;Kenji Shiraishi;and Hiroyuki Kageshima
- 通讯作者：and Hiroyuki Kageshima
Strain-enhanced diffusion originated from end-of-range defects
源自范围末端缺陷的应变增强扩散
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Taiga Isoda;Masashi Uematsu;and Kohei M. Itoh
- 通讯作者：and Kohei M. Itoh
SiC表面における酸化初期での反応過程に関する理論的検討
SiC表面氧化初期反应过程的理论研究
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：伊藤綾子;秋山亨;中村浩次;伊藤智徳;影島博之;植松真司;白石 賢二
- 通讯作者：白石 賢二
Theoretical investigations for initial oxidation processes on SiC surfaces
SiC 表面初始氧化过程的理论研究
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ayako Ito;Toru Akiyama;Kohji Nakamura;and Tomonori Ito
- 通讯作者：and Tomonori Ito
Interfacial Analysis of Arsenic Ion-Implanted Germanium Isotopic Multilayer Structures Studied by Atom Probe Tomography
原子探针断层扫描研究砷离子注入锗同位素多层结构的界面分析
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yasuo Shimizu;Hiroshi Takamizawa;Yoko Kawamura;Masashi Uematsu;他5名
- 通讯作者：他5名
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$ 3.41万 - 项目类别：
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59750550 - 财政年份：1984
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
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- 批准号：
57750017 - 财政年份：1982
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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- 批准号：
56420047 - 财政年份：1981
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
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