Diffusion control in silicon by co-implanted carbon
Diffusion control in silicon by co-implanted carbon
通过共注入碳控制硅中的扩散
批准号：
24560413
负责人：
UEMATSU Masashi
金额：
$3.41万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Initial reaction processes on SiC surfaces during thermal oxidation: A first-principles study
热氧化过程中 SiC 表面的初始反应过程：第一性原理研究
热氧化过程中 SiC 表面的初始反应过程：第一性原理研究
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ayako Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Kenji Shiraishi, and Hiroyuki Kageshima]
通讯作者：
and Hiroyuki Kageshima
Strain-enhanced diffusion originated from end-of-range defects
源自范围末端缺陷的应变增强扩散
源自范围末端缺陷的应变增强扩散
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Taiga Isoda, Masashi Uematsu, and Kohei M. Itoh]
通讯作者：
and Kohei M. Itoh
SiC表面における酸化初期での反応過程に関する理論的検討
SiC表面氧化初期反应过程的理论研究
SiC表面氧化初期反应过程的理论研究
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[伊藤綾子, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 影島博之, 植松真司, 白石 賢二]
通讯作者：
白石 賢二
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ayako Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, and Tomonori Ito]
通讯作者：
and Tomonori Ito
Interfacial Analysis of Arsenic Ion-Implanted Germanium Isotopic Multilayer Structures Studied by Atom Probe Tomography
原子探针断层扫描研究砷离子注入锗同位素多层结构的界面分析
原子探针断层扫描研究砷离子注入锗同位素多层结构的界面分析
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yasuo Shimizu, Hiroshi Takamizawa, Yoko Kawamura, Masashi Uematsu, 他5名]
通讯作者：
他5名
共 12 条
Control of Silicon Nanostructure Oxidation by Nitrogen Doping
-
批准号：18360027
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额：$11.0万
-
财政年份：2006
-
负责人：UEMATSU Masashi
-
依托单位：
海外基金