Observation and control of spin dependent transport phenomena in magnetic/non-magnetic semiconductor nanostructures by using BEEM/STM techniques
Observation and control of spin dependent transport phenomena in magnetic/non-magnetic semiconductor nanostructures by using BEEM/STM techniques
使用 BEEM/STM 技术观察和控制磁性/非磁性半导体纳米结构中的自旋相关输运现象
批准号：
18360021
负责人：
YOSHINO Junji
金额：
$11.15万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
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英文摘要
磁性体/半導体のナノ構造の性能改善を目指して, BEEM/STM技術を用いてそのスピン依存トンネル現象を観測から界面のスピン状態に関する知見を得ること, さらに新しいハーフメタル型磁性体を用いたナノ構造の構築を目指して研究を行った. その結果, 特にGaAs(001)c(4x4)構造が, 2種の構造を有するとの認識に立ち, ハーフメタル型の電子構造を有するという理論予測のあるため新しい磁性材料として期待が持たれているzb型MnAsおよびCrAsのGaAs(001)表面上への成長の初期過程を明らかにした.
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Mn deposition on GaAs(001)-c(4×4)α reconstructed surfaces, Ascanning-tunneling-microscopy study
GaAs(001)-c(4×4)α 重建表面上的 Mn 沉积，扫描隧道显微镜研究
GaAs(001)-c(4×4)α 重建表面上的 Mn 沉积，扫描隧道显微镜研究
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[D. Komamiya, J. Okabayashi, and J. Yoshino]
通讯作者：
and J. Yoshino
Shape control in nanoscaled MnAs dots on sulfur-passivated GaAs(001)
硫钝化 GaAs(001) 上纳米级 MnAs 点的形状控制
硫钝化 GaAs(001) 上纳米级 MnAs 点的形状控制
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Ueno, T. Arai, J. Okabayashi and J. Yoshino]
通讯作者：
J. Okabayashi and J. Yoshino
Structure transition between two GaAs(001)-c(4x4) surface reconstruction in As_4 flux
As_4 通量中两个 GaAs(001)-c(4x4) 表面重建之间的结构转变
As_4 通量中两个 GaAs(001)-c(4x4) 表面重建之间的结构转变
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
J. Cryst. Growth 301-302
影响因子：
--
作者：
[N. Shiba, Y. Morimoto, K. Nawata, K. Furuki, Y. Tanaka, M. Okida, T. Omatsu, Arai et. al., Yoko Kawamura, 種村 眞幸, T.Arai et al.]
通讯作者：
T.Arai et al.
GaAs(001)c(4×4)α再構成表面へのMn吸着過程
GaAs(001)c(4×4)α重构表面上Mn的吸附过程
GaAs(001)c(4×4)α重构表面上Mn的吸附过程
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. M. Pask, P. Dekdcer, A. Lee, T. Omatsu, J. A. Piper, 廣瀬和之, 駒宮大介]
通讯作者：
駒宮大介
Initial growth of MnAs on GaAs(001)-c(4×4) reconstructed surface
GaAs(001)-c(4×4)重构表面上MnAs的初始生长
GaAs(001)-c(4×4)重构表面上MnAs的初始生长
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Phisica E 40
影响因子：
--
作者：
[N. Shiba, Y. Morimoto, K. Nawata, K. Furuki, Y. Tanaka, M. Okida, T. Omatsu, Arai et. al.]
通讯作者：
Arai et. al.
共 23 条
Spin-current generation based on ambipolar diffusion in magnetic materials
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批准号：23656012
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2011
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负责人：YOSHINO Junji
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依托单位：
Extremely high-density doping of magnetic impurity in magnetic semiconductors and surface nano-structure preparation by controlling fundamental surface process during MBE growth
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批准号：14076211
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$12.61万
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财政年份：2002
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负责人：YOSHINO Junji
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依托单位：
Study on magneto-transport properties of semiconductor/magnetic-material heterostructures by ballistic electron emission microscopy
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批准号：13450009
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$8.13万
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财政年份：2001
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负责人：YOSHINO Junji
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依托单位：
Development on in-situ observation techniques for surface reaction process under hydrogen atmosphere related to alloy semiconductors
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批准号：07555335
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$1.22万
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财政年份：1995
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负责人：YOSHINO Junji
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依托单位：
Chemical Beam Epitaxy of Chalcopyrite Semiconductors
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批准号：05452094
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额：$4.67万
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财政年份：1993
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负责人：YOSHINO Junji
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依托单位：
海外基金