Spin-current generation based on ambipolar diffusion in magnetic materials

基于磁性材料中双极扩散的自旋电流产生

• 批准号: 23656012
• 负责人: YOSHINO Junji
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656012/
• 关键词: スピントロニクス; 熱電材料; スピン流; バイポーラ拡散; 熱電効果

We have made search to obtain novel materials which have electron conduction in majority spin band and hole conduction in minority band, which offer a novel method for achieving effective spin current generation by temperature gradient, based on first principle electronic structure calculation. Our theoretical studies suggest that Mn, Fe and Co doped GaMnAs and Mn-doped InAs/GaSb superlattices are the good candidates for the purpose. However, experimental evidence has not been obtained yet.

我们在第一原理电子结构计算的基础上，寻求在大部分自旋带内具有电子传导，在少数带内具有空穴导电的新型材料，为利用温度梯度产生有效的自旋电流提供了一种新的方法。我们的理论研究表明，掺Mn、Fe、Co的GaMnAs和掺Mn的InAs/GaSb超晶格是很好的候选材料。然而，目前还没有获得实验证据。

项目成果

GaMnAsの磁気異方性と異方性磁気抵抗の膜厚依存性

GaMnAs磁各向异性和各向异性磁阻的膜厚依赖性

• 发表时间: 2012
• 作者: Tomoya YAMAZAKI; Weichun PAN; Hitoshi MIURA;Yuki KIMURA;Atul SRIVASTAVA;Izumi YOSHIZAKI;Takao MAKI;Katsuo TSUKAMOTO;野崎大樹
• 通讯作者: 野崎大樹

GaMnAs/InGaAs/GaMnAs MTJのトンネルスペクトルによるGaMnAsの電子構造の解明

通过 GaMnAs/InGaAs/GaMnAs MTJ 的隧道谱阐明 GaMnAs 的电子结构

• 发表时间: 2013
• 作者: Masaru Kotera;Yoshimasa Urushihara;Daiki Izumo;Takashi Nishino;山田博信,齊藤敦,須藤陽介,中島健介,有吉誠一郎,大嶋重利;古川直寛
• 通讯作者: 古川直寛

GaMnAs におけるスピンゼーベック効果の観測

GaMnAs 中自旋塞贝克效应的观察

• 发表时间: 2012
• 作者: 竹内祐太;加来滋;吉野淳二
• 通讯作者: 吉野淳二

GaMnAs の異方性磁気抵抗の膜厚依存性

GaMnAs各向异性磁阻的膜厚依赖性

• 发表时间: 2012
• 作者: Hitoshi MIURA; Etsuro YOKOYAMA;Ken NAGASHIMA;Katsuo TSUKAMOTO;西野 孝;野崎大樹
• 通讯作者: 野崎大樹

GaMnAs/InGaAs/GaMnAs MTJ のトンネルスペク トルによるGaMnAsの電子構造の解明

通过 GaMnAs/InGaAs/GaMnAs MTJ 的隧道谱阐明 GaMnAs 的电子结构

• 发表时间: 2013
• 作者: Jianhui Sun;Jialong Zhao;Yasuaki Masumoto;古川直寛,新井亮,加来滋,吉野淳二
• 通讯作者: 古川直寛,新井亮,加来滋,吉野淳二