Spin-current generation based on ambipolar diffusion in magnetic materials
Spin-current generation based on ambipolar diffusion in magnetic materials
基于磁性材料中双极扩散的自旋电流产生
批准号：
23656012
负责人：
YOSHINO Junji
金额：
$2.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011 至 2012
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英文摘要
We have made search to obtain novel materials which have electron conduction in majority spin band and hole conduction in minority band, which offer a novel method for achieving effective spin current generation by temperature gradient, based on first principle electronic structure calculation. Our theoretical studies suggest that Mn, Fe and Co doped GaMnAs and Mn-doped InAs/GaSb superlattices are the good candidates for the purpose. However, experimental evidence has not been obtained yet.
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GaMnAsの磁気異方性と異方性磁気抵抗の膜厚依存性
GaMnAs磁各向异性和各向异性磁阻的膜厚依赖性
GaMnAs磁各向异性和各向异性磁阻的膜厚依赖性
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Tomoya YAMAZAKI, Weichun PAN, Hitoshi MIURA, Yuki KIMURA, Atul SRIVASTAVA, Izumi YOSHIZAKI, Takao MAKI, Katsuo TSUKAMOTO, 野崎大樹]
通讯作者：
野崎大樹
GaMnAs/InGaAs/GaMnAs MTJのトンネルスペクトルによるGaMnAsの電子構造の解明
通过 GaMnAs/InGaAs/GaMnAs MTJ 的隧道谱阐明 GaMnAs 的电子结构
通过 GaMnAs/InGaAs/GaMnAs MTJ 的隧道谱阐明 GaMnAs 的电子结构
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Masaru Kotera, Yoshimasa Urushihara, Daiki Izumo, Takashi Nishino, 山田博信,齊藤敦,須藤陽介,中島健介,有吉誠一郎,大嶋重利, 古川直寛]
通讯作者：
古川直寛
GaMnAs におけるスピンゼーベック効果の観測
GaMnAs 中自旋塞贝克效应的观察
GaMnAs 中自旋塞贝克效应的观察
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[竹内祐太, 加来滋, 吉野淳二]
通讯作者：
吉野淳二
GaMnAs の異方性磁気抵抗の膜厚依存性
GaMnAs各向异性磁阻的膜厚依赖性
GaMnAs各向异性磁阻的膜厚依赖性
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Hitoshi MIURA, Etsuro YOKOYAMA, Ken NAGASHIMA, Katsuo TSUKAMOTO, 西野 孝, 野崎大樹]
通讯作者：
野崎大樹
GaMnAs/InGaAs/GaMnAs MTJ のトンネルスペク トルによるGaMnAsの電子構造の解明
通过 GaMnAs/InGaAs/GaMnAs MTJ 的隧道谱阐明 GaMnAs 的电子结构
通过 GaMnAs/InGaAs/GaMnAs MTJ 的隧道谱阐明 GaMnAs 的电子结构
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Jianhui Sun, Jialong Zhao, Yasuaki Masumoto, 古川直寛,新井亮,加来滋,吉野淳二]
通讯作者：
古川直寛,新井亮,加来滋,吉野淳二
共 8 条
Observation and control of spin dependent transport phenomena in magnetic/non-magnetic semiconductor nanostructures by using BEEM/STM techniques
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批准号：18360021
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.15万
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财政年份：2006
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负责人：YOSHINO Junji
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依托单位：
Extremely high-density doping of magnetic impurity in magnetic semiconductors and surface nano-structure preparation by controlling fundamental surface process during MBE growth
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批准号：14076211
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$12.61万
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财政年份：2002
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负责人：YOSHINO Junji
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依托单位：
Study on magneto-transport properties of semiconductor/magnetic-material heterostructures by ballistic electron emission microscopy
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批准号：13450009
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$8.13万
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财政年份：2001
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负责人：YOSHINO Junji
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依托单位：
Development on in-situ observation techniques for surface reaction process under hydrogen atmosphere related to alloy semiconductors
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批准号：07555335
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$1.22万
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财政年份：1995
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负责人：YOSHINO Junji
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依托单位：
Chemical Beam Epitaxy of Chalcopyrite Semiconductors
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批准号：05452094
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额：$4.67万
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财政年份：1993
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负责人：YOSHINO Junji
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依托单位：
海外基金