Development of next generation inorganic electroluminescent thin film materials with nanogranular structure
Development of next generation inorganic electroluminescent thin film materials with nanogranular structure
下一代纳米颗粒结构无机电致发光薄膜材料的开发
批准号：
18360338
负责人：
ABE Seishi
金额：
$10.61万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
中文摘要
翻译
半導体ナノ粒子を用いた無機エレクトロルミネッセンス材料を開発するためには,発光色および色鮮明度に反映するナノ粒子サイズおよび分布幅の制御が不可欠である.本研究課題ではこの点を詳細に検討した.その結果, Ge/Al-O薄膜において,Geナノ粒子の粒径サイズはAl-Oマトリクスの化学量論的組成付近において一峰性の分布を有し,他方,ナノ粒子およびマトリクスを構成する酸化物の生成熱差を大きくすることにより、ナノ粒子は狭分布化することが明らかになった.したがって,本研究課題により,半導体ナノ粒子の制御技術の確立に向けた知見が得られた.
英文摘要
半導体ナノ粒子を用いた無機エレクトロルミネッセンス材料を開発するためには,発光色および色鮮明度に反映するナノ粒子サイズおよび分布幅の制御が不可欠である.本研究課題ではこの点を詳細に検討した.その結果, Ge/Al-O薄膜において,Geナノ粒子の粒径サイズはAl-Oマトリクスの化学量論的組成付近において一峰性の分布を有し,他方,ナノ粒子およびマトリクスを構成する酸化物の生成熱差を大きくすることにより、ナノ粒子は狭分布化することが明らかになった.したがって,本研究課題により,半導体ナノ粒子の制御技術の確立に向けた知見が得られた.
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DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Applied Physics Express 1
影响因子：
--
作者：
[伊藤博史, 他, 幸塚広光(分担執筆), Seishi Abe, T. Takasugi and Y. Kaneno,, Yasuo Koide, Seishi Abe]
通讯作者：
Seishi Abe
Compositional plane of a wide-gap semiconductor CaCdSeS lattice-matched to InP and GaAs
与 InP 和 GaAs 晶格匹配的宽带隙半导体 CaCdSeS 的组成面
与 InP 和 GaAs 晶格匹配的宽带隙半导体 CaCdSeS 的组成面
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Journal of Crystal Growth 290
影响因子：
--
作者：
[K.Yamanaka, R.Sasaki, T.Ogata, Y.Ohara, T.Mihara, S.Shibuya, 小出康夫, S. Abe and K. Masumoto]
通讯作者：
S. Abe and K. Masumoto
Ge/TiO2薄膜のナノグラニュラー構造と固溶体マトリクス形成
Ge/TiO2薄膜的纳米颗粒结构及固溶体基体形成
Ge/TiO2薄膜的纳米颗粒结构及固溶体基体形成
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[河原弘治、金野泰幸, 高杉隆幸, 阿部世嗣,大沼正人,平 徳海,大沼繁弘]
通讯作者：
阿部世嗣,大沼正人,平 徳海,大沼繁弘
強磁性薄膜材料とその製造方法
铁磁薄膜材料及其制备方法
铁磁薄膜材料及其制备方法
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Ge/M-0(M:Ti or Fe)機能性薄膜の構造制御
Ge/M-0(M:Ti或Fe)功能薄膜的结构控制
Ge/M-0(M:Ti或Fe)功能薄膜的结构控制
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Mitsutaka Sato, Rong Tu, Takashi Goto, Kyosuke Ueda and Takayuki Narushima, 小出 康夫, 阿部世嗣,大沼正人,平徳海,大沼繁弘, W. Soga, K. Ohira, 阿部世嗣]
通讯作者：
阿部世嗣
共 35 条
Development of iron oxide thin films with specific hetero-structure self-formed and expression of photocatalytic function
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批准号：18K04761
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2018
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负责人：ABE Seishi
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依托单位：
Development of a new composite material for quantum dot solar cell
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批准号：21360346
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.98万
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财政年份：2009
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负责人：ABE Seishi
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依托单位：
海外基金