不純物ナノドーピング法による低抵抗半導体ダイヤモンドの創製

利用杂质纳米掺杂法制备低电阻半导体金刚石

• 批准号: 18760241
• 负责人: 寺地 徳之
• 金额: $ 2.3万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18760241/
• 关键词: ダイヤモンド; 化学気相合成; ドーピング

本課題研究では、ダイヤモンドの低抵抗化を目標に、アクセプター不純物であるホウ素の高濃度ドーピングを試みた。取り込み効率を向上させるために基板表面のナノ構造化を行ったが、本研究で試みた薄膜合成の条件下では顕著な改善が見られなかった。一方でプラズマの高密度化は取り込み率の向上に有効であり、マイクロ波投入電力が低い場合でも効果が確認された。また高プラズマ密度化することで合成の最適条件を高メタン側に移動する事を明らかにした。得られた結晶の欠陥を、ショットキーダイオードを形成して評価したところ、ダイオード特性としては耐圧が1kV以上と優れた特性を示したが、深いエネルギー位置にある欠陥の電子状態を評価したところドナーおよびアクセプター型欠陥がそれぞれ比較的高い欠陥密度で形成されている事が分かった。またカソードルミネッセンスによる発光分光測定を行ったところ、アクセプター濃度が10^<19>cm^<-3>を超える高濃度結晶の場合には、ホウ素の束縛励起子の再結合発光とは発光波長が異なる発光スペクトルが得られた。この結果は、高濃度にホウ素をドーピングした場合、ホウ素が凝集した形態を採るなど、低濃度の場合と異なる電子状態を形成していることを意味している。デバイス応用を念頭に置いた高濃度ドーピングを行う場合には、深い準位やホウ素の取り込み形態を含めた合成条件の検討が必要である。

The purpose of this project is to study the effect of low resistance to chemical conditions, high temperature, high temperature and high temperature. In this study, the structure of the substrate surface is improved under the condition of thin film synthesis. On the other hand, the high-density equipment acquisition rate is higher than that of the high-density equipment, and the power input of the wave is low. In order to improve the densification of the information system, the most suitable conditions for the synthesis of the most suitable conditions are discussed. The results show that the temperature is low, and the temperature is low. The high underdensity of the low density ratio of the electric power station is formed by the high density of the electric power unit, which is located in the same position, and the high density of the low density ratio is formed by the high density of the electric power unit. The laser beam exciter is used to determine the optical wavelength of the optical beam, the optical wavelength of the optical beam exciter, the optical wave length, and the optical wave length. The results show that high temperature temperature, low temperature, low temperature You can use the following words: high temperature, high

项目成果

Ohmic contact for p-type diamond without post-annealing

p 型金刚石的欧姆接触，无需后退火

• 发表时间: 2008
• 期刊: J.Appl.Phys. 104
• 作者: T.Teraji;S.Koizumi;Y.Koide
• 通讯作者: Y.Koide

Electric Field Breakdown of Lateral Schottky Diodes of Diamond

• DOI: 10.1143/jjap.46.l196
• 发表时间: 2007-02
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: T. Teraji;S. Koizumi;Y. Koide;T. Ito

ダイヤモンド表面の改質方法とそれに用いるカバー材

金刚石表面修饰方法及其所用的覆盖材料

• 发表时间: 2007