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MOSトランジスタのサブスレッショルド特性を利用したスマートセンサLSIの開拓

利用MOS晶体管的亚阈值特性开发智能传感器LSI

基本信息

批准号：
07J02413
负责人：
上野憲一
金额：
$ 1.73万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至 2009
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は、「極めて微小な電力で動作するスマートセンサLSIの構成方法を確立すること」を目的に、大きく以下の研究課題に取り組んだ。LSIの消費電力を格段に低減する手法として、本研究ではMOSFETのサブスレッショルド領域(しきい値電圧以下で動作)を利用した回路設計手法の確立を目指している。以下に、本年度の研究成果を示す。(1).参照クロック源回路の提案,試作,評価MOSFETのサブスレッショルド領域特性は、温度に対して敏感に変化するため、その回路システムには、温度変化や電源電圧の変動に対しての影響が小さい参照クロック源回路が必要になる。このような参照クロックは、LSIシステムにとって必須の要素回路ブロックであり、特に各回路の同期、回路動作周波数の制御、外部端末との送受信回路のために使用される。一般に参照クロックとしては、水晶振動子を用いる。しかし、これはCMOSプロセスとの親和性が無く、外部オフチップとして使用される。オンチップで動作するクロック源回路がいくつか提案されているが、これらは消費電力が1mW以上と大きく-μW級のサブスレッショルドシステムには使用できない。そこで本研究では、極低消費電力で動作するオンチップ参照クロックも源回路を提案した。回路構成は、周波数同期技術に基づき、サブスレッショルド領域で動作するMOSFETのみで構成した。実際にLSIチップ試作を行い、その評価により動作を確認した。この回路は温度変化に対して一定の参照信号を出力する回路アーキテクチャであり、回路全体の消費電力も既存の回路と比較して1/10～1/100の消費電力を達成した。この研究内客は、国内学会、国際会議において発表を行い、さらに現在、論文誌に投稿中である。(2).超低消費電力スマート温度センサLSIの提案,試作,評価サブスレッショルド動作を利用した低消費電力温度センサLSIについて検討を行った。サブスレッショルド領域での電流特性は、温度に対して敏感に変化する。また、その電流値はnAオーダの微小電流であり極低電力化が期待できる。この物理特性を利用して、従来方式とは異なる温度センサLSIを構成することができる。提案する温度センサは、周波数同期ループ技術を用いることで、温度を周波数パルスに変換する。実際にセンサ回路の設計、試作を行い、その動作を測定により確認した。この温度センサは,サブスレッショルド領域で動作するCMOS回路から構成され、10μW程度の極低消費電力(既存の回路と比較して1/10～1/100の消費電力)で動作する。この研究内容は、国内学会、国際会議において発表を行い、さらに論文誌に掲載が決定(2010年)した。

This research is aimed at establishing the method of constructing LSI with extremely small power. This study aims to establish a methodology for reducing power consumption in LSI circuits by using circuit design techniques in MOSFET circuit design areas (operating at low voltages). The research results of this year are shown below. (1). With reference to the proposal of the source circuit, try to evaluate the MOSFET's switching characteristics, temperature sensitivity, switching characteristics, temperature variation, and power supply voltage variation. The control of the synchronization of each loop, the number of loop operation cycles, and the use of the external terminal and the transmission and reception loop are all required. Generally, refer to the crystal vibrator. The compatibility of CMOS is not limited, and the external compatibility is not limited. The power consumption of the power source circuit is more than 1mW, and the power consumption of the power source circuit is more than 1mW. This study proposes a very low power consumption operation circuit. Circuit configuration: MOSFET configuration in the field of operation based on cycle synchronization technology In the meantime, LSI will try to confirm the operation. The circuit is temperature dependent, and the reference signal is output. The circuit consumes electric power and the existing circuit consumes electric power. This research is conducted in China, at national societies, at international conferences, at present, and in papers submitted. (2). A proposal for ultra-low power consumption temperature sensor LSI, trial run, evaluation of sensor operation, and utilization of low power consumption temperature sensor LSI The current characteristics in the field are sensitive to temperature. The current value is nA. The current is very low. The physical characteristics of the LSI are utilized in different ways, such as temperature, LSI composition, etc. The proposed temperature and frequency synchronization technology is used in the temperature and frequency conversion. The design, trial operation and operation of the circuit are confirmed. CMOS circuits operating in this temperature range have a very low power consumption of 10μW (1/10~1/100 of the power consumption compared to existing circuits). The contents of this research are published in the National Society, International Conference, and Paper (2010).