急速熱処理によるシリコン系ナノ結晶の形成プロセス技術の開発およびデバイス応用

快速热处理形成硅基纳米晶的工艺技术开发及器件应用

基本信息

  • 批准号:
    07J05656
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2009
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本年度は化学気相堆積法(CVD)により形成したSiO_x膜を急速熱処理することで形成したシリコンナノ結晶において、Siナノ結晶をフローティングゲートに用いたMOSキャパシタを作製し電気特性の評価に重点を置いて以下の通り実施した。リモート誘導型プラズマでHe希釈O_2およびSiH_4を用いてp型Si(100)基板上にSiO_2/SiO_x/SiO_2積層構造を真空一貫形成した。比較のためにSiO_x層をSiO_2層で置き換えた試料も作製した。これらの試料を熱プラズマジェット(TPJ)急速熱処理し、1mmφのA1ゲート形成後ポストアニール(400℃,N2,30min)を行ない容量-電圧(CV)特性を評価した。その結果として、1.ゲート電圧(V_g)を-20〜+20Vで掃引することでSiO_x層のない試料ではヒステリシス幅(ΔV_<FB>)が0.01Vだったのに対し、SiO_x試料においては9.1Vと顕著な増大が観測された。これよりSiナノ結晶もしくはSiナノ結晶/SiO_2界面が電子もしくは正孔の保持ノードとして機能していることが分かった。2.ΔV_<FB>は室温でのフォトルミネッセンス(波長約900nm)と相関が見られた。3.TPJ急速熱処理により形成したSiナノ結晶においてV_g=20Vで最大1.2×10^<13>cm^<-2>の電荷が注入でき、印加時間10msでおよそΔV_<FB>=1Vが得られることが分かった。以上の結果より、SiO_2/SiO_x/SiO_2積層構造をTPJ熱処理することで、低耐熱性基板上への不揮発性メモリ実現が期待できることが分かった。
This year, the chemical vapor deposition method (CVD) is used to form SiO_x films, and rapid heat treatment is used to form MOS films. SiO_2/SiO_x/SiO_2 multilayer structure on p-type Si(100) substrate is formed in vacuum. The SiO_2 layer was replaced by the SiO_x layer. After rapid heat treatment (TPJ), 1mmφ A1 coating was formed, and the capacity-voltage (CV) characteristics were evaluated at 400℃ for 30 min. 1. The voltage (V_g) of SiO_x layer was-20 ~+20V. The amplitude (ΔV_ ) of SiO_x layer <FB>increased from 0.01V to 9.1V. The Si/SiO_2 interface is the electron interface, and the Si/SiO_2 interface is the electron interface, and the Si/SiO_2 interface is the electron interface. 2.ΔV_<FB>is the temperature of the room temperature and the wavelength of the room temperature is about 900nm. 3. TPJ rapid heat treatment during the formation of Si<13><-2><FB>As a result, SiO_2/SiO_x/SiO_2 multilayer structure is expected to be thermally treated with TPJ and non-volatile on low heat resistant substrates.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
熱プラズマジェットミリ秒熱処理を用いたSiO_x薄膜からのSiナノ結晶形成とその電荷注入特性
热等离子体射流毫秒热处理从SiO_x薄膜形成硅纳米晶及其电荷注入特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Okada;T. Okada;H. Furukawa;H. Furukawa;T. Yorimoto;T. Okada;岡田竜弥;岡田竜弥
  • 通讯作者:
    岡田竜弥
ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測
毫秒快速热处理过程中硅片内部温度变化的原位观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Okada;T. Okada;H. Furukawa;H. Furukawa;T. Yorimoto;T. Okada;岡田竜弥;岡田竜弥;T. Okada;加久博隆;加久博隆;H. Furukawa;古川弘和;H. Furukawa;木庭直浩;山本雄治;広重康夫;岡田 竜弥;H. Kaku;広重 康夫;古川 弘和
  • 通讯作者:
    古川 弘和
半導体レーザ光照射ミリ秒急速熱処理によるa-Ge:H膜の相変化過程のその場観測
半导体激光辐照毫秒快速热处理a-Ge:H薄膜相变过程原位观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Okada;T. Okada;H. Furukawa;H. Furukawa;T. Yorimoto;T. Okada;岡田竜弥;岡田竜弥;T. Okada;加久博隆;加久博隆;H. Furukawa;古川弘和;H. Furukawa;木庭直浩;山本雄治;広重康夫;岡田 竜弥;H. Kaku;広重 康夫;古川 弘和;岡田 竜弥;加久 博隆;菅川 賢治
  • 通讯作者:
    菅川 賢治
高密度熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理による極浅接合形成
通过高密度热等离子体射流辐照进行毫秒快速热处理形成超浅键
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Okada;T. Okada;H. Furukawa;H. Furukawa;T. Yorimoto;T. Okada;岡田竜弥;岡田竜弥;T. Okada;加久博隆;加久博隆;H. Furukawa;古川弘和
  • 通讯作者:
    古川弘和
プラズマCVDにより堆積したSiO_x薄膜からのフォトルミネッセンス
等离子体CVD沉积的SiO_x薄膜的光致发光
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Okada;T. Okada;H. Furukawa;H. Furukawa;T. Yorimoto;T. Okada;岡田竜弥;岡田竜弥;T. Okada;加久博隆;加久博隆;H. Furukawa;古川弘和;H. Furukawa;木庭直浩;山本雄治;広重康夫;岡田 竜弥
  • 通讯作者:
    岡田 竜弥
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Okada;T. Okada;H. Furukawa;H. Furukawa;T. Yorimoto;T. Okada;岡田竜弥;岡田竜弥;T. Okada;加久博隆;加久博隆;H. Furukawa;古川弘和;H. Furukawa;木庭直浩;山本雄治;広重康夫;岡田 竜弥;H. Kaku;広重 康夫;古川 弘和;岡田 竜弥;加久 博隆;菅川 賢治;K. Sugakawa;菅川 賢治;杉本太郎;宮澤健介;Toshihide Hirao;平尾聡秀
  • 通讯作者:
    平尾聡秀
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  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Okada;T. Okada;H. Furukawa;H. Furukawa;T. Yorimoto;T. Okada;岡田竜弥;岡田竜弥;T. Okada;加久博隆;加久博隆;H. Furukawa;古川弘和;H. Furukawa;木庭直浩;山本雄治;広重康夫;岡田 竜弥;H. Kaku;広重 康夫;古川 弘和;岡田 竜弥;加久 博隆;菅川 賢治;K. Sugakawa;菅川 賢治;杉本太郎
  • 通讯作者:
    杉本太郎
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Okada;T. Okada;H. Furukawa;H. Furukawa;T. Yorimoto;T. Okada;岡田竜弥;岡田竜弥;T. Okada;加久博隆;加久博隆;H. Furukawa;古川弘和;H. Furukawa;木庭直浩;山本雄治;広重康夫;岡田 竜弥;H. Kaku;広重 康夫;古川 弘和;岡田 竜弥;加久 博隆;菅川 賢治;K. Sugakawa;菅川 賢治;杉本太郎;宮澤健介;Toshihide Hirao
  • 通讯作者:
    Toshihide Hirao
90年代における稼働率の低下とTFP
20世纪90年代产能利用率和全要素生产率下降
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Okada;T. Okada;H. Furukawa;H. Furukawa;T. Yorimoto;T. Okada;岡田竜弥;岡田竜弥;T. Okada;加久博隆;加久博隆;H. Furukawa;古川弘和;H. Furukawa;木庭直浩;山本雄治;広重康夫;岡田 竜弥;H. Kaku;広重 康夫;古川 弘和;岡田 竜弥;加久 博隆;菅川 賢治;K. Sugakawa;菅川 賢治;杉本太郎;宮澤健介
  • 通讯作者:
    宮澤健介

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