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Development of crystal growth technology for architecture of microstructures in bulk multicrystals and its application to high-efficiency solar cells

Development of crystal growth technology for architecture of microstructures in bulk multicrystals and its application to high-efficiency solar cells
块状多晶微结构晶体生长技术的发展及其在高效太阳能电池中的应用
批准号：
18686001
负责人：
USAMI Noritaka
金额：
$12.65万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18686001/
关键词：
バルク多結晶結晶成長太陽電池シリコンバルク多結晶結晶方位粒界亜粒界

项目摘要

项目成果

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翻译
多結晶の融液成長過程における結晶方位や結晶粒界の形成機構と制御因子を結晶成長学の観点から明確にし、得られた知見に基づき、結晶方位・粒界性格分布を制御したバルク多結晶の成長技術の開発を行った。実際に、結晶欠陥を低減したSiバルク多結晶を実現し、太陽電池の変換効率の向上を示すことで、多結晶組織を制御することがマクロ特性の改善に有用であることを実証した
英文摘要
多結晶の融液成長過程における結晶方位や結晶粒界の形成機構と制御因子を結晶成長学の観点から明確にし、得られた知見に基づき、結晶方位・粒界性格分布を制御したバルク多結晶の成長技術の開発を行った。実際に、結晶欠陥を低減したSiバルク多結晶を実現し、太陽電池の変換効率の向上を示すことで、多結晶組織を制御することがマクロ特性の改善に有用であることを実証した
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会议论文
シリコンバルク多結晶太陽電池の粒界設計に向けて
硅体多晶太阳能电池的晶界设计
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： マテリアルインテグレーション 20(10)
影响因子： --
作者： [Hasegawa H., Jiang X., Tada R., 長谷川 精, 長谷川 精, 長谷川 精, 長谷川 精, 沓掛 健太朗]
通讯作者： 沓掛 健太朗
Spatially resolved X-ray rocking curve analysis as a tool to invesitagte local structures in Si multicrystals
空间分辨 X 射线摇摆曲线分析作为研究硅多晶局部结构的工具
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [N. Usami, K. Kutsukake, K. Fujiwara, and K. Nakajima]
通讯作者： and K. Nakajima
ホームページ等。
主页等
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Quantitative analysis of sub-grain boundaries in Si multicrystals and their impact on electrical properties and solar cell performance
硅多晶亚晶界的定量分析及其对电性能和太阳能电池性能的影响
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： J.Appl.Phys. 105
影响因子： --
作者： [K.Kutsukake, N.Usami, T.Ohtaniuchi, K.Fujiwara, K.Nakajima]
通讯作者： K.Nakajima
共 52 条
    Challenge to a new growth technique to fabricate crystalline Si sheet on the melt by the aid of radiative cooling
    • 批准号：
      25600084
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      USAMI Noritaka
    • 依托单位：
      Nagoya University
    Research on functional electronic devices based on straind-Si on SiGe alloy substrates
    • 批准号：
      13555086
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $8.51万
    • 财政年份：
      2001
    • 负责人：
      USAMI Noritaka
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Research on spatially and temporally resolved spectroscopy of semiconductor quantum structures by using ulta small probe light
    海外基金