Anfangszustände epitaktischer Eisensilizidfilme auf Si(111)

点击翻译按钮获取中文摘要

Trotz vieler Bemühungen ist die Präparation epitaktischer Eisensilizidfilme auf Siliziumsubstrat problematisch geblieben, das hohe Anwendungspotential bzgl. ihrer Integration in die Silizium-basierte Halbleitertechnologie konnte bisher nicht realisiert werden. Eine der Ursachen hierfür scheint in der lateralen Inhomogenität der Grenzschicht Film/Substrat zu liegen, die sich im Antragsstadium des Filmwachstums ausbildet. Diese Grenzschicht soll daher kristallographisch und morphologisch mit experimentellen (quantitative Elektronenbeugung, Rastertunnelmikroskopie) und theoretischen (Dichtefunktionaltheorie) Methoden untersucht werden. Aufwachsende dickere Filme sollen ebenso analysiert und in ihrer Qualität optimiert werden, wozu durch Variation der Präparationsmethoden die Bedingungen zur Ausbildung möglichst homogener Silizidphasen auszuloten sind. Das Zusammenspiel von Theorie und Experiment verspricht, die energetische Nähe jeweils konkurrierend sich ausbildender Phasen abschätzen und ein Verständnis der Bindungsverhältnisse in Grenzschicht und Filmen gewinnen zu können.