Anfangszustände epitaktischer Eisensilizidfilme auf Si(111)

Trotz vieler bem<s:1> hungen ist die Präparation epitaktischer Eisensilizidfilme auf silizium substrate problematisch geblieben, das anwendung potential bzl。集成在硅片上的硅基halbleter技术构成了更大的现实世界。1 .德国电影工业协会（german Ursachen hierffer scheint in der lateralen） Inhomogenität德国电影工业协会（german german Film/ substrate zu liegen），德国电影工业协会。研究了晶体刻蚀和形态学的实验（定量电子学，光栅隧道显微学）和理论（双功能理论）方法。Aufwachsende dickere薄膜溶胶分析和在irer Qualität optimiert werden， wozu durch Variation der Präparationsmethoden die Bedingungen zur Ausbildung möglichst均质器Silizidphasen auszuloten sind。理论与实验研究进展，研究进展Nähe珠宝与技术研究进展abschätzen和研究进展Verständnis与研究进展Bindungsverhältnisse。

Trotz vieler Bemühungen ist die Präparation epitaktischer Eisensilizidfilme auf Siliziumsubstrat problematisch geblieben, das hohe Anwendungspotential bzgl. ihrer Integration in die Silizium-basierte Halbleitertechnologie konnte bisher nicht realisiert werden. Eine der Ursachen hierfür scheint in der lateralen Inhomogenität der Grenzschicht Film/Substrat zu liegen, die sich im Antragsstadium des Filmwachstums ausbildet. Diese Grenzschicht soll daher kristallographisch und morphologisch mit experimentellen (quantitative Elektronenbeugung, Rastertunnelmikroskopie) und theoretischen (Dichtefunktionaltheorie) Methoden untersucht werden. Aufwachsende dickere Filme sollen ebenso analysiert und in ihrer Qualität optimiert werden, wozu durch Variation der Präparationsmethoden die Bedingungen zur Ausbildung möglichst homogener Silizidphasen auszuloten sind. Das Zusammenspiel von Theorie und Experiment verspricht, die energetische Nähe jeweils konkurrierend sich ausbildender Phasen abschätzen und ein Verständnis der Bindungsverhältnisse in Grenzschicht und Filmen gewinnen zu können.