Investigation of nano-scale conductance properties of few layer graphene films
Investigation of nano-scale conductance properties of few layer graphene films
少层石墨烯薄膜纳米级电导特性的研究
批准号：
19310085
负责人：
NAGASE Masao
金额：
$12.73万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2009
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英文摘要
A main purpose of this study is an investigation of nano-scale conductance properties of few layer graphene films on SiC substrate. A precise control of layer numbers of graphene has been realized using low-energy electron microscopy. The local conductances of few layer graphene were measured using an integrated nanogap probe which was newly developed for this study. The measured results revealed a confinement effect in graphene nano-islands and a conductance modification near atomic step in continual graphene sheets. A lot of useful knowledge for future graphene electronics has been obtained.
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グラフェンのミクロスコピックな物性の解明(寄稿記事)
阐明石墨烯的微观物理性质（投稿文章）
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DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
セラミックス 44
影响因子：
--
作者：
[伴野秀和, 青木優, 飯高敏晃, 圓谷和雄, 高橋幸生, 永瀬雅夫]
通讯作者：
永瀬雅夫
SiC上グラフェンの物性評価(招待講演)
SiC上石墨烯的物性评价（特邀报告）
SiC上石墨烯的物性评价（特邀报告）
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M.Nagase, H.Hibino, H.Kageshima, H.Yamaguchi, 久保 英人, 永瀬雅夫, 西野 吉則, 永瀬雅夫, 永瀬雅夫]
通讯作者：
永瀬雅夫
iC上のグラフェン成長と電気特性(招待講演)
iC 上的石墨烯生长和电性能（特邀演讲）
iC 上的石墨烯生长和电性能（特邀演讲）
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司]
通讯作者：
山口浩司
化学と工業2008年12月号、日本化学会、カーボンナノチューブを越えるか新炭素系材料「グラフェン」、[取材記事]
化学工业2008年12月号，日本化学会，超越碳纳米管的新型碳基材料“石墨烯”，[采访文章]
化学工业2008年12月号，日本化学会，超越碳纳米管的新型碳基材料“石墨烯”，[采访文章]
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.1088/0957-4484/19/49/495701
发表时间：
2008-12-10
期刊：
NANOTECHNOLOGY
影响因子：
3.5
作者：
[Nagase, M., Hibino, H., Yamaguchi, H.]
通讯作者：
Yamaguchi, H.
共 57 条
Controlling of local electro-mechanical properties of few-layer graphen
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批准号：22310086
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.9万
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财政年份：2010
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负责人：NAGASE Masao
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依托单位：
海外基金