Investigation of nano-scale conductance properties of few layer graphene films

少层石墨烯薄膜纳米级电导特性的研究

• 批准号: 19310085
• 负责人: NAGASE Masao
• 金额: $ 12.73万
• 依托单位: NTT Basic Research Laboratories
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19310085/
• 关键词: ナノ材料; マイクロ・ナノデバイス; 計測工学; グラフェン; 低エネルギー電子顕微鏡; ナノギャップ電極

A main purpose of this study is an investigation of nano-scale conductance properties of few layer graphene films on SiC substrate. A precise control of layer numbers of graphene has been realized using low-energy electron microscopy. The local conductances of few layer graphene were measured using an integrated nanogap probe which was newly developed for this study. The measured results revealed a confinement effect in graphene nano-islands and a conductance modification near atomic step in continual graphene sheets. A lot of useful knowledge for future graphene electronics has been obtained.

本研究的主要目的是研究SiC衬底上的少层石墨烯薄膜的纳米尺度电导特性。使用低能电子显微镜实现了石墨烯层数的精确控制。利用新开发的集成纳米间隙探针测量了几层石墨烯的局域电导。测量结果表明，在石墨烯纳米岛和连续石墨烯片的原子阶附近的电导修改的约束效应。已经获得了许多对未来石墨烯电子学有用的知识。

项目成果

グラフェンのミクロスコピックな物性の解明(寄稿記事)

阐明石墨烯的微观物理性质（投稿文章）

• 发表时间: 2009
• 期刊: セラミックス 44
• 作者: 伴野秀和;青木優;飯高敏晃;圓谷和雄;高橋幸生;永瀬雅夫
• 通讯作者: 永瀬雅夫

SiC上グラフェンの物性評価(招待講演)

SiC上石墨烯的物性评价（特邀报告）

• 发表时间: 2009
• 作者: M.Nagase;H.Hibino;H.Kageshima;H.Yamaguchi;久保 英人;永瀬雅夫;西野 吉則;永瀬雅夫;永瀬雅夫
• 通讯作者: 永瀬雅夫

iC上のグラフェン成長と電気特性(招待講演)

iC 上的石墨烯生长和电性能（特邀演讲）

• 发表时间: 2008
• 作者: 永瀬雅夫;日比野浩樹;影島博之;山口浩司
• 通讯作者: 山口浩司

化学と工業2008年12月号、日本化学会、カーボンナノチューブを越えるか新炭素系材料「グラフェン」、[取材記事]

化学工业2008年12月号，日本化学会，超越碳纳米管的新型碳基材料“石墨烯”，[采访文章]

In-plane conductance measurement of graphene nanoislands using an integrated nanogap probe

• DOI: 10.1088/0957-4484/19/49/495701
• 发表时间: 2008-12-10
• 期刊: NANOTECHNOLOGY
• 影响因子: 3.5
• 作者: Nagase, M.;Hibino, H.;Yamaguchi, H.
• 通讯作者: Yamaguchi, H.