Controlling of local electro-mechanical properties of few-layer graphen

少层石墨烯局部机电性能的控制

• 批准号: 22310086
• 负责人: NAGASE Masao
• 金额: $ 11.9万
• 依托单位: The University of Tokushima
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22310086/
• 关键词: ナノ材料; マイクロ・ナノデバイス; 計測工学; グラフェン

Electrical and mechanical combined properties of graphene on SiC were studied in nano-scale regime. We found the current switching phenomena with very high-on/off ratio (>105) by using a conductive scanning nano-probe. The contact conductance between the probe and graphene can be modulated by a mechanical interaction which makes partially defined graphene nano-membrane. Our findings open a path to applications of electro-mechanical properties of graphene.

在纳米尺度下研究了石墨烯/SiC复合材料的电学和力学性能。利用导电扫描纳米探针，我们发现了具有很高开/关比（>105）的电流开关现象。探针和石墨烯之间的接触电导可以通过机械相互作用来调制，这使得部分限定的石墨烯纳米膜。我们的研究结果为石墨烯的机电性能的应用开辟了一条道路。

项目成果

SiC上グラフェンの物性評価技術

SiC上石墨烯物理性能评价技术

• 发表时间: 2011
• 作者: O R;et al;永瀬雅夫;永瀬雅夫
• 通讯作者: 永瀬雅夫

Observation of bandgap in epitaxial bilayer graphene field effect transistors

外延双层石墨烯场效应晶体管带隙的观察

• 发表时间: 2010
• 作者: Shinichi Tanabe;et al.
• 通讯作者: et al.

グラフェンが拓く材料の新領域-物性・作製法から実用化まで-

石墨烯开辟了材料新领域——从物理性能、生产方法到实际应用——

• 发表时间: 2012
• 作者: 日比野浩樹、永瀬雅夫;他
• 通讯作者: 他

単層エピタキシャルグラフェンにおける半整数量子ホール効果の観測

单层外延石墨烯中半整数量子霍尔效应的观察

• 发表时间: 2010
• 作者: 田邉真一;関根佳明;影島博之;永瀬雅夫;日比野浩樹
• 通讯作者: 日比野浩樹

4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェンの表面ラフネスと層数均一性との相関

4H-SiC(0001)上外延石墨烯表面粗糙度与层数均匀性的相关性

• 发表时间: 2012
• 作者: 田尾拓人;他
• 通讯作者: 他