Non-equilibrium phases appearing on semiconductor surfaces at low temperatures induced by electronic excitation

电子激发引起的低温下半导体表面出现的非平衡相

• 批准号: 19340083
• 负责人: TOCHIHARA Hiroshi
• 金额: $ 12.06万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19340083/
• 关键词: Ge(111)表面; Sn吸着; 表面構造; 半導体表面; 電子線照射効果; 低速電子回折; 相転移; 低温; 表面構造相転移; 半導体表面物性; 非平衡物質; Sn 吸着; シリコン; 電子励起と脱励起; ドーパント; 半導体キャリアー濃度; 低温半導体; LEED

Just before starting the present study (2005), we had found that the structure of clean Si(001)c(4×2) surfaces undergoes the disordering induced by the irradiation of low-energy electron beam only below about 50K. In this study we have succeeded to find another example of electron-beam-irradiation induced disordering of the surface structure on the Ge(111)-Sn adsorption system only below 40K. We have clarified the conditions for the occurrence of this phenomenon, and proposed its microscopic mechanism.

在开始本研究之前（2005年），我们发现清洁Si（001）c（4×2）表面的结构只有在低于50 K时才经历低能电子束辐照引起的无序。在本研究中，我们成功地发现了另一个电子束辐照引起Ge（111）-Sn吸附系统表面结构无序的例子，其温度仅低于40 K。阐明了这一现象发生的条件，并提出了其微观机理。

项目成果

The Ground State of the Sn/Ge(111)-3×3 Surface and its Electron-Beam-Induced Disordering.

Sn/Ge(111)-3×3 表面的基态及其电子束引起的无序。

• 发表时间: 2010
• 期刊: Physical Review B(Rapid Communications) 81
• 作者: T.Shirasawa;H.Tochihara;K.Kubo;W.Voegeli;T.Takahashi
• 通讯作者: T.Takahashi

電子線照射によるSn/Ge(111)-3 3表面構造の変化

电子束辐照导致 Sn/Ge(111)-33 表面结构的变化

• 发表时间: 2009
• 作者: 白澤徹郎;栃原浩;高橋敏男
• 通讯作者: 高橋敏男