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Structures and band gaps of similar silicon oxide monolayers formed on a metal and a semiconductor

Structures and band gaps of similar silicon oxide monolayers formed on a metal and a semiconductor
在金属和半导体上形成的类似氧化硅单层的结构和带隙
批准号：
23540372
负责人：
TOCHIHARA Hiroshi
金额：
$3.16万
依托单位：
Fukuoka University (2013-2014)Kyushu University (2011-2012)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-04-28 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23540372/
关键词：
シリコン酸化物超薄膜シリコンカーバイドエピタキシャル単分子層走査トンネル顕微鏡バンドギャップ酸化シリコン超薄膜エピタキシー半導体／絶縁体接合エピタキシャル超薄膜MOS構造結晶性超薄膜エピタキシャル成長膜金属／絶縁物接合半導体／絶縁物接合表面新物質

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Anomalous structural evolution and √3x√3 reconstruction of a clean Si(111) surface observed after thermal desorption of thallium
铊热解吸后观察到的干净 Si(111) 表面的异常结构演化和 √3x√3 重建
DOI： 10.1116/1.4913199
发表时间： 2015
期刊： J. Vac. Sci. Technol. A
影响因子： --
作者： [P. Kocan, O. Krejci, H. Tochihara]
通讯作者： H. Tochihara
Adsorption of PTCDA on Si(001)-2 x 1 surface
PTCDA 在 Si(001)-2 x 1 表面上的吸附
DOI： 10.1063/1.4906118
发表时间： 2015
期刊： J. Chem. Phys.
影响因子： --
作者： [T. Suzuki, Y. Yoshimoto, K. Yagyu, H. Tochihara]
通讯作者： H. Tochihara
Fabrication of a single layer grapheme by copper intercalation on a SiC(0001) surface
SiC(0001)表面插铜制备单层石墨烯
DOI： --
发表时间： 2014
期刊： Applied Physics Letters
影响因子： 4
作者： [Kazuma Yagyu, Takayuki Tajiri, Atsushi Kohno, Kazutoshi Takahashi, Hiroshi Tochihara, Hajime Tomokage, Takayuki Suzuki]
通讯作者： Takayuki Suzuki
Si 2p Core Level Shifts of the Epitaxial SiON Layer on a SiC(0001), Studied by Photoemissin Spectroscopy
通过光电发射光谱研究 SiC(0001) 上外延 SiON 层的 Si 2p 核心能级偏移
DOI： --
发表时间： 2011
期刊： Materials Science Forum
影响因子： --
作者： [T. Shirasawa, S. Tanaka, T. Muro, Y. Tamenori, Y. Harada, T. Tokushima, T. Kinoshita, S. Shin, T. Takahashi, H. Tochihara]
通讯作者： H. Tochihara
共 10 条
    Non-equilibrium phases appearing on semiconductor surfaces at low temperatures induced by electronic excitation
    • 批准号：
      19340083
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.06万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      TOCHIHARA Hiroshi
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Determination of large unit cells of ordered surface structures by tensor LEED
    • 批准号：
      06452038
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $4.16万
    • 财政年份：
      1994
    • 负责人：
      TOCHIHARA Hiroshi
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    Study on the electronic states of the outermost surface layers by Metastable deexcitation spectroscopy.
    • 批准号：
      62460033
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $4.16万
    • 财政年份：
      1987
    • 负责人：
      TOCHIHARA Hiroshi
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    国内基金
    海外基金
    电子封装用聚酰亚胺超薄膜玻璃化转变及协同运动的表征与微观机制
    • 批准号：
      Z25E030022
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      左彪
    • 依托单位：
      浙江理工大学
    BiFeO3超薄膜铁电性的调控及物理机制研究
    • 批准号：
      12304122
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      姚小康
    • 依托单位：
      辽宁大学
    超薄膜中片晶生长边界层纳米黏弹特性及对结晶形态的影响
    • 批准号：
      52373026
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      52万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      张彬
    • 依托单位：
      郑州大学
    精准构筑二维共价有机框架超薄膜SERS基底用于结构相似有机化合物的特异性识别与检测
    • 批准号：
      22375052
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      50.00万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      刘雅玲
    • 依托单位：
      国家纳米科学中心