刷新
{{item.name}}会员
Structures and band gaps of similar silicon oxide monolayers formed on a metal and a semiconductor
在金属和半导体上形成的类似氧化硅单层的结构和带隙
基本信息
- 批准号：23540372
- 负责人：
- 金额：$ 3.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2011
- 资助国家：日本
- 起止时间：2011-04-28 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Anomalous structural evolution and √3x√3 reconstruction of a clean Si(111) surface observed after thermal desorption of thallium
铊热解吸后观察到的干净 Si(111) 表面的异常结构演化和 √3x√3 重建
- DOI：10.1116/1.4913199
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：P. Kocan;O. Krejci;H. Tochihara
- 通讯作者：H. Tochihara
Adsorption of PTCDA on Si(001)-2 x 1 surface
PTCDA 在 Si(001)-2 x 1 表面上的吸附
- DOI：10.1063/1.4906118
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Suzuki;Y. Yoshimoto;K. Yagyu;H. Tochihara
- 通讯作者：H. Tochihara
Fabrication of a single layer grapheme by copper intercalation on a SiC(0001) surface
SiC(0001)表面插铜制备单层石墨烯
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Kazuma Yagyu;Takayuki Tajiri;Atsushi Kohno;Kazutoshi Takahashi;Hiroshi Tochihara;Hajime Tomokage;Takayuki Suzuki
- 通讯作者：Takayuki Suzuki
Si 2p Core Level Shifts of the Epitaxial SiON Layer on a SiC(0001), Studied by Photoemissin Spectroscopy
通过光电发射光谱研究 SiC(0001) 上外延 SiON 层的 Si 2p 核心能级偏移
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Shirasawa;S. Tanaka;T. Muro;Y. Tamenori;Y. Harada;T. Tokushima;T. Kinoshita;S. Shin;T. Takahashi;H. Tochihara
- 通讯作者：H. Tochihara
A dangling-bond free interface: the silicon-oxynitride epitaxial ultrathin film on SiC(0001).
无悬挂键界面：SiC(0001) 上的硅氮氧化物外延超薄膜。
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Tochihara;T. Shirasawa
- 通讯作者：T. Shirasawa
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
TOCHIHARA Hiroshi其他文献
TOCHIHARA Hiroshi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('TOCHIHARA Hiroshi', 18)}}的其他基金
Non-equilibrium phases appearing on semiconductor surfaces at low temperatures induced by electronic excitation
电子激发引起的低温下半导体表面出现的非平衡相
- 批准号：
19340083 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Determination of large unit cells of ordered surface structures by tensor LEED
通过张量 LEED 确定有序表面结构的大晶胞
- 批准号：
06452038 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
Study on the electronic states of the outermost surface layers by Metastable deexcitation spectroscopy.
通过亚稳态去激发光谱研究最外表面层的电子态。
- 批准号：
62460033 - 财政年份：1987
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
相似国自然基金
电子封装用聚酰亚胺超薄膜玻璃化转变及协同运动的表征与微观机制
- 批准号：Z25E030022
- 批准年份：2025
- 资助金额：0.0 万元
- 项目类别：省市级项目
BiFeO3超薄膜铁电性的调控及物理机制研究
- 批准号：12304122
- 批准年份：2023
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
超薄膜中片晶生长边界层纳米黏弹特性及对结晶形态的影响
- 批准号：52373026
- 批准年份：2023
- 资助金额：52 万元
- 项目类别：面上项目
精准构筑二维共价有机框架超薄膜SERS基底用于结构相似有机化合物的特异性识别与检测
- 批准号：22375052
- 批准年份：2023
- 资助金额：50.00 万元
- 项目类别：面上项目
硫化物固体电解质化学稳定性机制及其超薄膜在全固态锂二次电池中的研究
- 批准号：52372244
- 批准年份：2023
- 资助金额：52.00 万元
- 项目类别：面上项目
面向原油分离的杯芳烃超薄膜制备与传质机理研究
- 批准号：22308099
- 批准年份：2023
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
堆叠制备米级多孔石墨烯基超薄膜及其CO2气体分离研究
- 批准号：52270108
- 批准年份：2022
- 资助金额：54 万元
- 项目类别：面上项目
基于原子力红外的超薄膜中高分子取向松弛与结晶行为研究
- 批准号：
- 批准年份：2022
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
聚乙烯微纳米超薄膜加工原理贯通性研究
- 批准号：52233002
- 批准年份：2022
- 资助金额：269 万元
- 项目类别：重点项目
分子层可控大面积有机超薄膜的气氛诱导制备与功能器件
- 批准号：22175185
- 批准年份：2021
- 资助金额：60 万元
- 项目类别：面上项目
相似海外基金
大気圧プラズマCVD法によるシリカ膜のサブナノ細孔構造制御と超薄膜製膜技術の確立
常压等离子体CVD法二氧化硅膜亚纳米孔结构控制及超薄膜形成技术的建立
- 批准号：
23K23119 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を酸化前駆体とする機能性酸化物超薄膜の創出
使用过渡金属二硫属化物原子层作为氧化前体创建超薄功能氧化物薄膜
- 批准号：
23K23182 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Molecular-Net技術によるSiOx超薄膜のワンステップ製膜
利用分子网技术一步法制备超薄 SiOx 薄膜
- 批准号：
24K17544 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
精良で自由度が高いキラル高分子超薄膜の創出とキラル誘起物性の探求
高质量、高自由度超薄手性聚合物薄膜的制备及手性诱导物理性质的探索
- 批准号：
24K01456 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
二次元ダイヤモンド超薄膜ダイヤメインの創製および量子機能性の発現
二维金刚石超薄膜金刚石主体的创建及量子功能的表达
- 批准号：
23K04549 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
超薄膜ウェアラブルガスセンサーの開発－安心安全の見える化と夢の技術：分子の特定－
超薄膜可穿戴气体传感器的开发 - 安全保障可视化与梦想技术：分子识别 -
- 批准号：
23K17733 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
バイオマス高分子薄膜の結晶性・構造・配向制御 -超薄膜ガラスの科学とその応用-
生物质聚合物薄膜的结晶度、结构和取向控制 - 超薄玻璃科学及其应用 -
- 批准号：
22K03562 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
グラフェンの光操作による超薄膜電子材料の創出
通过石墨烯的光学操纵创建超薄膜电子材料
- 批准号：
22K05052 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
コアシェル型オルガノシリカナノファイバーの創製と一次元構造を利用した超薄膜製膜
利用一维结构制备核壳型有机二氧化硅纳米纤维并形成超薄膜
- 批准号：
22K18922 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
酸化物半導体センサの超薄膜化による機能向上
通过使氧化物半导体传感器超薄来提高功能
- 批准号：
21K04647 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)