Development of high temperature a scanning Hall probe microscope incorporating a Hall probe fabricated using gallium nitride heterostructures

开发包含使用氮化镓异质结构制造的霍尔探针的高温扫描霍尔探针显微镜

• 批准号: 19360139
• 负责人: SANDHU Adarsh
• 金额: $ 11.65万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360139/
• 关键词: 磁性; 走査プローブ顕微鏡; 磁区; スピンエレクトロニクス; 磁気記録; 走査型ホールプローブ顕微鏡; 強磁性体; AlGaN; GaN; 2次元電子ガスヘテロ接合; 磁気記録媒体

高温における強磁性体の磁区構造の観察を目的とし、高温走査型ホールプローブ顕微鏡(High Temperature Scanning Hall Probe Microscopy, HT-SHPM)用プローブを作製した。高温観測のためのプローブにAl 組成比、Siドープの有無など構造の異なるAlGaN/GaNの温度特性を調べ、感磁部の大きさが2μm×2μmであるホールプローブを作製した。作製したプローブの電気特性を評価し、ホール係数は25℃で0.0077Ω/G、400℃においては0.0046Ω/Gという結果を得た。また、HT-SHPMを用いて100℃以上における強磁性体ガーネット薄膜の磁区観察、外部磁界印加時の磁区観察に成功した。

High Temperature Scanning Hall Probe Microscopy (HT-SHPM) is used to investigate the magnetic structure of ferromagnetic materials at high temperatures. AlGaN/GaN temperature characteristics are adjusted by measuring the Al composition ratio, Si structure, and the size of the magnetic sensing part to 2μm×2 μm. The electrical characteristics of the system were evaluated, and the coefficient was 0.0077Ω/G at 25℃ and 0.0046Ω/G at 400℃. For example, HT-SHPM can be used to detect the magnetic field of ferromagnetic thin films at temperatures above 100℃ and to detect the magnetic field of external magnetic fields successfully.

项目成果

Contact mode scanning Hall probe microscopy

接触式扫描霍尔探针显微镜

• 发表时间: 2008
• 期刊: IEEE Transactions on Magnetics 44
• 作者: T.Ohashi;H. Osawa;A. Sandhu
• 通讯作者: A. Sandhu