Molecular Dynamics Simulation of GaN Dry Etching
Molecular Dynamics Simulation of GaN Dry Etching
GaN干法刻蚀的分子动力学模拟
批准号：
19540527
负责人：
HARAFUJI Kenji
金额：
$1.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
物理スパッタリング率のイオンエネルギー及びイオン入射角度依存性、さらにエッチング後の結晶欠陥の基礎データを収集した。N原子に対するスパッタリング率はGa原子に対するそれよりも大きい。エッチングによるダメージに関して、結晶内にはGaとNがペアになったショットキー欠陥が生じやすい。Gaは格子間原子と成り得るが、Nは格子間原子としては結晶内に存在し得ず、表面上に押し出されて再結晶化するか、スパッタされる。反応性塩素ガスを結晶表面に被覆した場合のイオンアシストエッチングの素過程を調べた。物理スパッタリングの場合と比べて、Gaに対するエッチング率が飛躍的に増加すること、また、Arイオンが入射してから、Gaが表面から離脱するまでの時間が10倍程度遅くなることを確認した。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Energy and angular dependence of incident Arion in dry-etching of wurtzite-type GaN crystal
纤锌矿型GaN晶体干法刻蚀中入射Arion的能量和角度依赖性
纤锌矿型GaN晶体干法刻蚀中入射Arion的能量和角度依赖性
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[服藤憲司, 河村雄行, K. Harafuji and K. Kawamura, 服藤 憲司, 服藤 憲司]
通讯作者：
服藤 憲司
Sputtering yield as a function of incident ion energy and angle in wurtzite-type GaN crystal
纤锌矿型 GaN 晶体中溅射产率与入射离子能量和角度的关系
纤锌矿型 GaN 晶体中溅射产率与入射离子能量和角度的关系
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 47(3)(In press)
影响因子：
--
作者：
[Makoto Minase, Mitsuji Kondo, Masanobu Onikata and Katsuyuki KAWAMURA, Kenji HARAFUJI and Katsuyuki KAWAMURA]
通讯作者：
Kenji HARAFUJI and Katsuyuki KAWAMURA
Point defects induced by dry-etching in wurtzite-type GaN crystal
纤锌矿型GaN晶体干法刻蚀引起的点缺陷
纤锌矿型GaN晶体干法刻蚀引起的点缺陷
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[服藤憲司, 河村雄行, K. Harafuji and K. Kawamura, 服藤 憲司]
通讯作者：
服藤 憲司
Molecular Dynamics of GaN Dry Etching
GaN干法刻蚀的分子动力学
GaN干法刻蚀的分子动力学
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[服藤憲司, 河村雄行]
通讯作者：
河村雄行
Energy and angular dependence of incident Ar ion in dry-etching of wurtzite-type GaN crystal
纤锌矿型GaN晶体干法刻蚀中入射Ar离子的能量和角度依赖性
纤锌矿型GaN晶体干法刻蚀中入射Ar离子的能量和角度依赖性
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[服藤憲司, 河村雄行, K. Harafuji and K. Kawamura, 服藤 憲司, 服藤 憲司, K. Harafuji and K. Kawamura, K. Harafuji and K. Kawamura]
通讯作者：
K. Harafuji and K. Kawamura
The improvement of efficiency and durability in organic solar cells by nanometer-size metal particles
-
批准号：18K04292
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额：$2.83万
-
财政年份：2018
-
负责人：HARAFUJI Kenji
-
依托单位：
海外基金