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Molecular Dynamics Simulation of GaN Dry Etching

GaN干法刻蚀的分子动力学模拟

基本信息

批准号：
19540527
负责人：
HARAFUJI Kenji
金额：
$ 1.75万
依托单位：
Ritsumeikan University (2008)Takamatsu National College of Technology (2007)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至 2008
项目状态：
已结题

项目摘要

物理スパッタリング率のイオンエネルギー及びイオン入射角度依存性、さらにエッチング後の結晶欠陥の基礎データを収集した。N原子に対するスパッタリング率はGa原子に対するそれよりも大きい。エッチングによるダメージに関して、結晶内にはGaとNがペアになったショットキー欠陥が生じやすい。Gaは格子間原子と成り得るが、Nは格子間原子としては結晶内に存在し得ず、表面上に押し出されて再結晶化するか、スパッタされる。反応性塩素ガスを結晶表面に被覆した場合のイオンアシストエッチングの素過程を調べた。物理スパッタリングの場合と比べて、Gaに対するエッチング率が飛躍的に増加すること、また、Arイオンが入射してから、Gaが表面から離脱するまでの時間が10倍程度遅くなることを確認した。

The dependence of the incident angle on the incidence rate and the incidence angle of the physical system, the dependence of the incident angle on the incident angle and the dependence of the incident angle on the incident angle. The rate of N atoms is higher than that of Ga atoms. Please tell me that you are not aware of the situation, and that the Ga in the crystal is not correct. The atoms in the Ga lattice and the N lattice are trapped in the crystal, and on the surface, the atoms are crystallized and then crystallized. The surface of the surface of the crystal is coated with high temperature and high temperature. The physical data acquisition ratio, the Ga response rate, the Ar incidence ratio, the Ga surface response time is 10 times higher than that of the other two.

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Energy and angular dependence of incident Arion in dry-etching of wurtzite-type GaN crystal

纤锌矿型GaN晶体干法刻蚀中入射Arion的能量和角度依赖性

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
服藤憲司;河村雄行;K. Harafuji and K. Kawamura;服藤憲司;服藤憲司
通讯作者：
服藤憲司

Sputtering yield as a function of incident ion energy and angle in wurtzite-type GaN crystal

纤锌矿型 GaN 晶体中溅射产率与入射离子能量和角度的关系

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 47(3)(In press)
影响因子：
0
作者：
Makoto Minase;Mitsuji Kondo;Masanobu Onikata and Katsuyuki KAWAMURA;Kenji HARAFUJI and Katsuyuki KAWAMURA
通讯作者：
Kenji HARAFUJI and Katsuyuki KAWAMURA

Point defects induced by dry-etching in wurtzite-type GaN crystal

纤锌矿型GaN晶体干法刻蚀引起的点缺陷

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
服藤憲司;河村雄行;K. Harafuji and K. Kawamura;服藤憲司
通讯作者：
服藤憲司

Molecular Dynamics of GaN Dry Etching

GaN干法刻蚀的分子动力学

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
0
作者：
服藤憲司;河村雄行
通讯作者：
河村雄行

Energy and angular dependence of incident Ar ion in dry-etching of wurtzite-type GaN crystal

纤锌矿型GaN晶体干法刻蚀中入射Ar离子的能量和角度依赖性

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
服藤憲司;河村雄行;K. Harafuji and K. Kawamura;服藤憲司;服藤憲司;K. Harafuji and K. Kawamura;K. Harafuji and K. Kawamura
通讯作者：
K. Harafuji and K. Kawamura