Organic Field-effect Transistors Based on Fused Organic Semiconductors

基于熔融有机半导体的有机场效应晶体管

• 批准号: 19550181
• 负责人: KUNUGI Yoshihito
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Tokai University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19550181/
• 关键词: 有機電子材料; 有機半導体; 有機トランジスタ; 縮環系有機半導体; 有機トランジスタ材料

Organic field-effect transistors (OFETs) are promising candidates for use in flexible, large-area and low-cost electronic devices, and they have undergone extensive improvements in recent years. In this study, we investigate the characterization of solution processed, vapor deposited and single crystal OFETs based on newly developed isomeric fused π-conjugated compounds, pentacene, fluoranthene and chrysene derivatives.

有机场效应晶体管（OFFET）是用于柔性、大面积和低成本电子器件的有希望的候选者，并且近年来它们经历了广泛的改进。在这项研究中，我们研究了表征的溶液处理，气相沉积和单晶OF2O3的基础上，新开发的异构稠合π共轭化合物，并五苯，荧蒽和金衍生物。

项目成果

σ-π共役系低分子化合物における薄膜トランジスタ特性

σ-π共轭低分子化合物的薄膜晶体管特性

• 发表时间: 2007
• 作者: 小菅隆生;功刀義人;池田大輔;他
• 通讯作者: 他

OFET Characteristics of Stretched Poly(3-hexylthiophene) Films

拉伸聚(3-己基噻吩) 薄膜的 OFET 特性

• 发表时间: 2010
• 期刊: Electrochemistry 78
• 作者: Y. KUNUGI;Y. YAMADA;H. HORIUCHI;H. HIRATSUKA;J. OHSHITA
• 通讯作者: J. OHSHITA

有機トランジスタ

有机晶体管

• 发表时间: 2009
• 作者: 功刀義人;星野光;功刀義人;星野光;Y. Kunugi;Y.Kunugi;功刀義人
• 通讯作者: 功刀義人

2, 9位に置換基を有するペンタセン誘導体のトランジスタ特性

2位和9位有取代基的并五苯衍生物的晶体管特性

• 发表时间: 2009
• 作者: 猪狩光章;功刀義人
• 通讯作者: 功刀義人

Development of N-alkyl-substituted bis (pyrrolo [3,4 -d])tetrathiafulvalenes as organic semiconductors for solution-processible field-effect transistors

• DOI: 10.1021/cm070956
• 发表时间: 2007-09
• 期刊: Chemistry of Materials
• 影响因子: 8.6
• 作者: I. Doi;E. Miyazaki;K. Takimiya;Y. Kunugi