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Epitaxial Growth and characterization of Room-temperature ferromagnetic chalcopyrite semiconductor thin films

Epitaxial Growth and characterization of Room-temperature ferromagnetic chalcopyrite semiconductor thin films
室温铁磁黄铜矿半导体薄膜的外延生长及表征
批准号：
19560012
负责人：
内富 直隆
金额：
$3.0万
依托单位：
Nagaoka University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560012/
关键词：
結晶工学結晶成長表面・界面物性半導体界面・界面物性

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電子の電荷とスピンを利用する半導体スピントロニクスの実現には、半導体プロセスと整合し室温で強磁性を発現する半導体が求められる。本研究では、インジウムリン基板と格子整合するカルコパイライト半導体ZnSnAs_2薄膜のエピタキシャル成長技術の確立とその薄膜の物性評価を行った。引き続き、Mn ドープしたZnSnAs_2薄膜の結晶成長を行い室温で強磁性を示すことが確認された。このことから、Mn ドープZnSnAs_2薄膜はインジウムリン基板と格子整合する室温強磁性半導体として、新しいデバイス応用の可能性を示している
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会议论文
Growth and Properties of Mn-doped ZnAsAs2 epitaxial films
Mn掺杂ZnAsAs2外延薄膜的生长及性能
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [J.Asubar, T. Yokoyama, S.Nakamura, Y.Jinbo, N.Uchitomi, H. Shima, J.T. Asubar]
通讯作者： J.T. Asubar
Electrotransport properties of p-ZnSnAs2 thin films growm by molecular beam epitaxy on semi-insulating (001) InP substrates
半绝缘 (001) InP 衬底上分子束外延生长的 p-ZnSnAs2 薄膜的电传输特性
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Journal of Applied Physics 47
影响因子： --
作者： [J.T.Asubar, A.Kato, Y.Jinbo, N.Uchitomi]
通讯作者： N.Uchitomi
Room-temperature ferronmagetism in Mn-doped ZnSnAs2 thin films grown on InP substrates
InP 衬底上生长的 Mn 掺杂 ZnSnAs2 薄膜的室温铁磁性
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [J.Asubar, Y.Jinbo, N.Uchitomi]
通讯作者： N.Uchitomi
Growth and properties of Mn-doped ZnSnAs2 epitaxial films
Mn掺杂ZnSnAs2外延薄膜的生长及性能
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [J.Asubar, T. Yokoyama, S.Nakamura, Y.Jinbo, N.Uchitomi]
通讯作者： N.Uchitomi
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