Epitaxial Growth and characterization of Room-temperature ferromagnetic chalcopyrite semiconductor thin films

室温铁磁黄铜矿半导体薄膜的外延生长及表征

基本信息

  • 批准号:
    19560012
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

電子の電荷とスピンを利用する半導体スピントロニクスの実現には、半導体プロセスと整合し室温で強磁性を発現する半導体が求められる。本研究では、インジウムリン基板と格子整合するカルコパイライト半導体ZnSnAs_2薄膜のエピタキシャル成長技術の確立とその薄膜の物性評価を行った。引き続き、Mn ドープしたZnSnAs_2薄膜の結晶成長を行い室温で強磁性を示すことが確認された。このことから、Mn ドープZnSnAs_2薄膜はインジウムリン基板と格子整合する室温強磁性半導体として、新しいデバイス応用の可能性を示している
The electrical charge generator makes use of the half-body and the half-body to integrate the room temperature strong magnetism and the half-body to realize the semi-conductor. In this study, in order to improve the physical properties of thin films, the growth technology of semiconductor ZnSnAs_2 thin films is very important in this study. The crystal growth of the ZnSnAs2 thin film is characterized by the room temperature strong magnetic properties and the temperature dependence of the growth of Mn thin films. Thin films of ZnSnAs _ 2, Mn, ZnSnAs _ 2, substrate, lattice, room temperature, strong magnetic semibody, and new materials are used to show the possibility.

项目成果

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专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Growth and Properties of Mn-doped ZnAsAs2 epitaxial films
Mn掺杂ZnAsAs2外延薄膜的生长及性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    J.Asubar;T. Yokoyama;S.Nakamura;Y.Jinbo;N.Uchitomi;H. Shima;J.T. Asubar
  • 通讯作者:
    J.T. Asubar
Electrotransport properties of p-ZnSnAs2 thin films growm by molecular beam epitaxy on semi-insulating (001) InP substrates
半绝缘 (001) InP 衬底上分子束外延生长的 p-ZnSnAs2 薄膜的电传输特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    J.T.Asubar;A.Kato;Y.Jinbo;N.Uchitomi
  • 通讯作者:
    N.Uchitomi
Room-temperature ferronmagetism in Mn-doped ZnSnAs2 thin films grown on InP substrates
InP 衬底上生长的 Mn 掺杂 ZnSnAs2 薄膜的室温铁磁性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    J.Asubar;Y.Jinbo;N.Uchitomi
  • 通讯作者:
    N.Uchitomi
Growth and properties of Mn-doped ZnSnAs2 epitaxial films
Mn掺杂ZnSnAs2外延薄膜的生长及性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    J.Asubar;T. Yokoyama;S.Nakamura;Y.Jinbo;N.Uchitomi
  • 通讯作者:
    N.Uchitomi
Highly-Resolution X-ray Diffraction Studies of Molecular Beam Epitaxy-Grown ZnSnAs2 Epitaxial Films on InP (001)Substrates
InP (001) 衬底上分子束外延生长 ZnSnAs2 外延薄膜的高分辨率 X 射线衍射研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高田 一朗;井上 順一郎;伊藤 博介;Joel T. Asubar
  • 通讯作者:
    Joel T. Asubar
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