The pressure effect to the magnetic interlayer coupling in the Fe-Si system with semiconducting/ferromagnetic hetero-structure.

半导体/铁磁异质结构Fe-Si体系中压力对磁层间耦合的影响。

基本信息

  • 批准号:
    19560019
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.91万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Fe-Si系半導体/強磁性体における磁化層間結合の圧力印加による効果を調べた。すなわちFe3Si/FeSi2超格子積層膜を炸裂し圧力印加下で室温において電気抵抗の変化を測定した。強磁性結合膜と反強磁性結合膜を比較した場合、反強磁性結合膜の方が抵抗変化率が大きい結果が得られた。このことが磁気層間結合に対してどのように関与しているかは、まだ不明である。また、圧力印加時に対して離散的なとびを持つ抵抗変化が観測された。
Fe-Si based semiconductor/ferromagnetic materials The breakdown of Fe3Si/FeSi2 superlattice films at room temperature was measured under high pressure. When the ferromagnetic bonding film and the antiferromagnetic bonding film are compared, the resistance ratio of the antiferromagnetic bonding film is increased. This is the case with the magnetic interlayer bonding. For example, when the pressure is applied, it is necessary to keep the resistance to change.

项目成果

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专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Fe3Si/NC-FeSi2人工格子の強磁性層間結合に及ぼす電流注入および光照射の効果
电流注入和光照射对 Fe3Si/NC-FeSi2 超晶格中铁磁层间耦合的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    細川伸也、尾崎徹、高田直樹、八方直久;他3名;堺研一郎
  • 通讯作者:
    堺研一郎
Epitaxy of Fe3Si layers across FeSi2 layers in Fe3Si/FeSi2 superlattices
Fe3Si/FeSi2 超晶格中 Fe3Si 层跨 FeSi2 层的外延
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Sakaniwa;H. Shima;K.Takeda
  • 通讯作者:
    K.Takeda
Epitaxy of Fe3Si layers across FeSi2 layers in Fe3Si/FeSi2 superlattices.
Fe3Si/FeSi2 超晶格中 Fe3Si 层跨 FeSi2 层的外延。
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Shimatsu;et.al.;Y. Sakaniwa;K. Takeda
  • 通讯作者:
    K. Takeda
Epitaxy in Fe3Si/FeSi2 Superlattices Prepared by Facing Target Direct-Current Sputtering at Room Temperature
室温对靶直流溅射制备Fe3Si/FeSi2超晶格的外延
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K,Takeda;T.Yoshitake;D.Nakagauchi(+7)
  • 通讯作者:
    D.Nakagauchi(+7)
強磁性エピタキシャル成長したFe3Si/FeSi2超格子の構造と層間結合
铁磁外延生长Fe3Si/FeSi2超晶格的结构和层间耦合
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
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  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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