Development of carrier separation technique by conductive atomic force microscopy

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集積回路の基本素子であるMOSFETのゲート絶縁膜の劣化機構を解明するために、C-AFMによるキャリアセパレーション測定を可能とする手法の提案を行い、その測定技術の確立を目的に本研究を行った。本手法で用いる観察試料の設計および作製を行い、その観察試料の評価結果から、良好な電流-電圧特性を得ることができた。しかしながら、C-AFM観察では変位検出のためのレーザー光の漏れが観察試料に照射され、光励起電流によって観察電流が測定できず、本手法の実現には光が全く照射されない環境でのC-AFM観察が重要であることが明らかとなった。