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Study on spin dependent transport in ferromagnet/semiconductor heterostructures

Study on spin dependent transport in ferromagnet/semiconductor heterostructures
铁磁体/半导体异质结构中自旋相关输运的研究
批准号:
19560307
负责人:
UEMURA Tetsuya
金额:
$3.0万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
半導体中の伝導電子のスピンを操作し、これまでにない新しい機能を有する電子/光デバイスの研究が盛んに行われている。その実現の第一歩は、スピン偏極した電子を半導体内に発生させることであり、強磁性電極から半導体にスピン偏極した電子を電気的に注入する方法(スピン注入)が有効である。本研究では、高効率スピン注入の実現に向け、スピン偏極率の高いハーフメタル材料であるCo系ホイスラー合金薄膜を半導体GaAs上に高品質に形成するとともに、ホイスラー合金/GaAsヘテロ接合構造におけるスピン依存伝導特性を明らかにした。このことにより、将来の新しいスピン機能デバイスの創出にむけた基盤技術を確立した。
英文摘要
半導体中の伝導電子のスピンを操作し、これまでにない新しい機能を有する電子/光デバイスの研究が盛んに行われている。その実現の第一歩は、スピン偏極した電子を半導体内に発生させることであり、強磁性電極から半導体にスピン偏極した電子を電気的に注入する方法(スピン注入)が有効である。本研究では、高効率スピン注入の実現に向け、スピン偏極率の高いハーフメタル材料であるCo系ホイスラー合金薄膜を半導体GaAs上に高品質に形成するとともに、ホイスラー合金/GaAsヘテロ接合構造におけるスピン依存伝導特性を明らかにした。このことにより、将来の新しいスピン機能デバイスの創出にむけた基盤技術を確立した。
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会议论文
DOI: 10.1088/0022-3727/42/8/084010
发表时间: 2009-04
期刊: Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子: --
作者: [S. Ouardi;B. Balke;A. Gloskovskii;G. Fecher;C. Felser;G. Schönhense;T. Ishikawa;T. Uemura;]
通讯作者: S. Ouardi;B. Balke;A. Gloskovskii;G. Fecher;C. Felser;G. Schönhense;T. Ishikawa;T. Uemura;
Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al/MgO/Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al強磁性トンネル接合のスピン依存コンダクタンス特性
Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al/MgO/Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al铁磁隧道结的自旋相关电导特性
DOI: --
发表时间: 2009
期刊:
影响因子: --
作者: [K. Sawada, T. Uemura, M. Masuda, K.-i. Matsuda, and M. Yamamoto, M. Yamamoto, 澤田圭佑, 今井洋介, 今井洋介, 米村和希, 板橋直樹]
通讯作者: 板橋直樹
Tunneling Anisotropic Magneto-resistance in an Epitaxial CoFe/n-GaAs Junction
外延 CoFe/n-GaAs 结中的隧道各向异性磁阻
DOI: --
发表时间: 2009
期刊:
影响因子: --
作者: [T. Uemura, Y. Imai, M. Harada, K.-i. Matsuda, and M. Yamamoto]
通讯作者: and M. Yamamoto
Spin-dependent electronic structures of Co2Cr0.6Fe0.4Al electrodes investigated through tunneling spectroscopy
通过隧道光谱研究 Co2Cr0.6Fe0.4Al 电极的自旋相关电子结构
DOI: --
发表时间: 2008
期刊:
影响因子: --
作者: [T. Taira, T. Ishikawa, K.-i. Matsuda, T. Uemura and M. Yamamoto, N. Itabashi, N. Itabashi]
通讯作者: N. Itabashi
91
    Fundamental research on spin-dependent functional devices based on half-metallic ferromagnet/semiconductor hybrid structures
    • 批准号:
      21360140
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $11.48万
    • 财政年份:
      2009
    • 负责人:
      UEMURA Tetsuya
    • 依托单位:
    Development of novel circuits consisting of magnetic tunnel junction and negative differential resistance devices
    • 批准号:
      16560289
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.3万
    • 财政年份:
      2004
    • 负责人:
      UEMURA Tetsuya
    • 依托单位:
    海外基金