Fundamental research on spin-dependent functional devices based on half-metallic ferromagnet/semiconductor hybrid structures

基于半金属铁磁体/半导体混合结构的自旋相关功能器件基础研究

• 批准号: 21360140
• 负责人: UEMURA Tetsuya
• 金额: $ 11.48万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360140/
• 关键词: スピントロニクス; スピン注入; ホイスラー合金; 半導体; スピントランジスタ; スピン発光ダイオード; トンネル異方性磁気抵抗効果; トンネル異方性磁気抵抗

The purpose of this research project was to develop fundamental technologies for creation of viable spintronic devices, in which electron spins are utilized as an additional degree of freedom for information and storage. For that purpose we demonstrated highly-efficient spin injection from halfmetallic ferromanet of Co-based Heusler alloy into GaAs and Si. Furthermore we clarified spin-dependent transport properties through the investigation of spin lifetime and interplay between electron spins and nuclear spins in the semiconductor channels.

该研究项目的目的是开发创建可行的自旋设备的基本技术，其中电子旋转被用作信息和存储的额外自由度。为此，我们证明了从CO基的Heusler合金的半度金属Ferromanet中的高效自旋注入到GAA和SI中。此外，我们通过研究半导体通道中的电子旋转和核自旋之间的自旋寿命和相互作用来阐明自旋依赖性转运性能。

项目成果

Co_2MnSiを用いたGaAsへのスピン注入および動的核スピンの検出

使用 Co_2MnSi 自旋注入 GaAs 并检测动态核自旋

• 发表时间: 2011
• 作者: 秋保貴史;原田雅亘;植村哲也;松田健一;山本眞史
• 通讯作者: 山本眞史

Tunneling anisotropic magnetoresistance in epitaxial CoFe/n-GaAs junctions

• 发表时间: 2018
• 作者: T. Uemura

Tunneling anisotropic magneto-resistance in an epitaxial Co_2MnSi/n-GaAs junction

外延 Co_2MnSi/n-GaAs 结中的隧道各向异性磁阻

• 发表时间: 2009
• 作者: M.Harada;T.Uemura;Y.Imai;K.-i.Matsuda;M.Yamamoto
• 通讯作者: M.Yamamoto

Co_2MnSi/n-GaAs接合におけるトンネル異方性磁気抵抗効果と結晶磁気異方性に対する接合界面構造依存性

Co_2MnSi/n-GaAs结中隧道各向异性磁阻效应和磁晶各向异性的结界面结构依赖性

• 发表时间: 2010
• 作者: 原田雅亘;秋保貴史;植村哲也;松田健一;山本眞史
• 通讯作者: 山本眞史

ホイスラー合金によるスピン流の創出と制御(基調講演)

使用霍斯勒合金产生和控制自旋电流（主题演讲）

• 发表时间: 2010
• 作者: 植村哲也;石川貴之;原田雅亘;平智幸;松田健一;山本眞史
• 通讯作者: 山本眞史