A studay for SRAM Terminal Biasing Scheme for Ultra-Low Operating Voltage Applications for NanoMeter Era
A studay for SRAM Terminal Biasing Scheme for Ultra-Low Operating Voltage Applications for NanoMeter Era
纳米时代超低工作电压应用的SRAM端子偏置方案研究
批准号：
19560363
负责人：
YAMAUCHI Hiroyuki
金额：
$2.5万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
中文摘要
翻译
SRAMのサイズスケーリングのベースに影響を与える可能性のあるSRAMセルトポロジーとマージンアイッスト方式の技術について調査し、スケーリングのペースに与える影響を定量的に求め、45nm以降15nm迄のプロセススケーリングを考慮した各種アシスト回路のマージンアシスト回路方式の予測を行い、最もサイズスケーリングのペースを速くできるSRAMセルトポロジーとマージンアシスト回路を明らかにした。
英文摘要
SRAMのサイズスケーリングのベースに影響を与える可能性のあるSRAMセルトポロジーとマージンアイッスト方式の技術について調査し、スケーリングのペースに与える影響を定量的に求め、45nm以降15nm迄のプロセススケーリングを考慮した各種アシスト回路のマージンアシスト回路方式の予測を行い、最もサイズスケーリングのペースを速くできるSRAMセルトポロジーとマージンアシスト回路を明らかにした。
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半導体設計支援ソフトウェアの開発
半导体设计支持软件开发
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DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[齊藤真, 山内寛行]
通讯作者：
山内寛行
2009半導体テクノロジー大全
2009年半导体技术百科全书
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DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yoshinori Ito, Michitaka Ameya, Manabu Yamamoto, Toshio Nojima, 森田啓義, 山内寛行]
通讯作者：
山内寛行
Embedded SRAM Circuit Technologies for a 45nm and beyond
适用于 45 纳米及以上工艺的嵌入式 SRAM 电路技术
适用于 45 纳米及以上工艺的嵌入式 SRAM 电路技术
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
International Conference on ASIC EIectronic Version Proceedings
影响因子：
--
作者：
[Hyunho Kang, Koutarou Yamaguchi, Brian Kurkoski, Kazuhiko Yamaguchi, and Kingo Kobayashi, Hiroyuki Yamauchi]
通讯作者：
Hiroyuki Yamauchi
DOI：
10.1109/tvlsi.2009.2016205
发表时间：
2010-05
期刊：
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems
影响因子：
2.8
作者：
[H. Yamauchi]
通讯作者：
H. Yamauchi
A 0.6 V Dual-Rail Compiler SRAM Design on 45nm CMOS Technology With Adaptive SRAM Power for Lower VDD_min VLSIs
采用 45nm CMOS 技术的 0.6V 双轨编译器 SRAM 设计，具有适用于较低 VDD_min VLSI 的自适应 SRAM 功率
采用 45nm CMOS 技术的 0.6V 双轨编译器 SRAM 设计，具有适用于较低 VDD_min VLSI 的自适应 SRAM 功率
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
IEEE Journal of Solid State Circuits 44-4
影响因子：
--
作者：
[Yen Huei Chen, Gary Chan, Shao Yu Chou, Hsien-Yu Pan, Jui-Jen Wu, Robin Lee, H. J. Liao, and Hiroyuki Yamauchi]
通讯作者：
and Hiroyuki Yamauchi
共 26 条
Study on Design Methodology for Reducing Both of Spatial and Temoporal Random Threshold Variation Based on Potential Control of SRAM Cell Terminals
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批准号：23560424
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.33万
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财政年份：2011
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负责人：YAMAUCHI Hiroyuki
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依托单位：