A studay for SRAM Terminal Biasing Scheme for Ultra-Low Operating Voltage Applications for NanoMeter Era
纳米时代超低工作电压应用的SRAM端子偏置方案研究
基本信息
- 批准号:19560363
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
SRAMのサイズスケーリングのベースに影響を与える可能性のあるSRAMセルトポロジーとマージンアイッスト方式の技術について調査し、スケーリングのペースに与える影響を定量的に求め、45nm以降15nm迄のプロセススケーリングを考慮した各種アシスト回路のマージンアシスト回路方式の予測を行い、最もサイズスケーリングのペースを速くできるSRAMセルトポロジーとマージンアシスト回路を明らかにした。
The influence and possibility of SRAM's switching mode technology are investigated, and the influence and quantitative influence of SRAM's switching mode are calculated. The switching mode from 45nm to 15nm is considered, and the prediction of various switching mode is carried out. The most important thing is that we should not lose sight of each other.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
2009半導体テクノロジー大全
2009年半导体技术百科全书
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yoshinori Ito;Michitaka Ameya;Manabu Yamamoto;Toshio Nojima;森田啓義;山内寛行
- 通讯作者:山内寛行
Embedded SRAM Circuit Technologies for a 45nm and beyond
适用于 45 纳米及以上工艺的嵌入式 SRAM 电路技术
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hyunho Kang;Koutarou Yamaguchi;Brian Kurkoski;Kazuhiko Yamaguchi;and Kingo Kobayashi;Hiroyuki Yamauchi
- 通讯作者:Hiroyuki Yamauchi
A Discussion on SRAM Circuit Design Trend in Deeper Nanometer-Scale Technologies
- DOI:10.1109/tvlsi.2009.2016205
- 发表时间:2010-05
- 期刊:
- 影响因子:2.8
- 作者:H. Yamauchi
- 通讯作者:H. Yamauchi
A 0.6 V Dual-Rail Compiler SRAM Design on 45nm CMOS Technology With Adaptive SRAM Power for Lower VDD_min VLSIs
采用 45nm CMOS 技术的 0.6V 双轨编译器 SRAM 设计,具有适用于较低 VDD_min VLSI 的自适应 SRAM 功率
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yen Huei Chen;Gary Chan;Shao Yu Chou;Hsien-Yu Pan;Jui-Jen Wu;Robin Lee;H. J. Liao;and Hiroyuki Yamauchi
- 通讯作者:and Hiroyuki Yamauchi
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{{ truncateString('YAMAUCHI Hiroyuki', 18)}}的其他基金
Study on Design Methodology for Reducing Both of Spatial and Temoporal Random Threshold Variation Based on Potential Control of SRAM Cell Terminals
基于SRAM单元端子电位控制的减少空间和时间随机阈值变化的设计方法研究
- 批准号:
23560424 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)