Doping into native-donor transparent conducting oxides with amorphous or homologous structures

掺杂到具有非晶或同系结构的天然施主透明导电氧化物中

• 批准号: 19560677
• 负责人: MORIGA Toshihiro
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: The University of Tokushima
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560677/
• 关键词: 透明導電膜; アモルファス; ブルーシフト; ドーパント; DCマグネトロンスパッタ法; 酸化亜鉛; 酸化インジウム; ガス圧; キャリア移動度; ポストアニール; 対向ターゲット式dcスパッタ; 有機基板

種々の条件下でPC及びPET基板上にZnO-In_2O_3系アモルファス透明導電膜を作製した。GaやAl等のドーパントを用いることで、(1)ガラス基板上に作製したアモルファス薄膜に匹敵する低い抵抗率の膜を製膜すること、(2)基礎吸収端の位置を僅かではあるが短波長側にシフトさせ、光学窓をより大きくとることが可能となった。

Under various conditions, PC and PET substrates are used to generate transparent conductive films on ZnO-In_2O_ 3 series. Ga, Al, etc., are used in this paper. (1) the substrate is used to make a thin film with a low resistance rate, a thin film, and a thin film.

项目成果

Structural analysis of homologous series of Zn_kIn2O_<k+3>(k=3, 5, 7) and ZnkInGaOk+3 (k=1, 3, 5)

Zn_kIn2O_<k 3>(k=3, 5, 7)和ZnkInGaOk 3 (k=1, 3, 5)同系物的结构分析

• 发表时间: 2009
• 期刊: Materials Research Innovations Vol.13, No.3
• 作者: Toshihiro Moriga;Katsuya Ishida;Koji Yamamoto;Atsushi Yoshinari and Kei-ichiro Murai
• 通讯作者: Atsushi Yoshinari and Kei-ichiro Murai

In_2O_3-ZnO系酸化物透明導電膜へのGa_2O_3添加の影響(Vol.2)

In_2O_3-ZnO基氧化物透明导电膜中添加Ga_2O_3的效果（Vol.2）

• 发表时间: 2008
• 作者: 坂本晃彦;富永喜久雄;下村幸司;植野貴大;瀧田啓介;渡辺隆之;森賀俊広;中林一朗
• 通讯作者: 中林一朗

Zn-In-Ga-O系層状ホモロガス化合物の結晶構造解析および熱電性能評価

Zn-In-Ga-O层状同系化合物的晶体结构分析及热电性能评价

• 发表时间: 2008
• 作者: 石田勝也;山本紘士;吉成篤史;村井啓一郎;森賀俊広
• 通讯作者: 森賀俊広

PC基板上に製膜した酸化亜鉛-酸化インジウム系アモルファス薄膜へのAlドーピングによる特性向上

PC基板上氧化锌-氧化铟非晶薄膜的Al掺杂改善性能

• 发表时间: 2008
• 作者: 森賀 俊広;ほか5名
• 通讯作者: ほか5名

PLD法によるIn-Ga-Zn系酸化物透明導電性薄膜

PLD法制备In-Ga-Zn基氧化物透明导电薄膜

• 发表时间: 2008
• 作者: 續木貴志;富永喜久雄;井上研一;三河通男;森賀俊広;中林一朗
• 通讯作者: 中林一朗