Elucidation of Formation Mechanism and Growth Simulation of Strain-induced Quantum Dot
Elucidation of Formation Mechanism and Growth Simulation of Strain-induced Quantum Dot
批准号:
19760067
负责人:
MATSUNAKA Daisuke
金额:
$0.8万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008
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英文摘要
表面や界面におけるひずみは表面構造や界面強度を決定する重要な要素である.原子スケールの構造ではひずみの影響はより重要になる.本研究では,密度汎関数理論に基づく第一原理計算を援用し,ひずみ誘起量子ドットの形成・成長を制御するキーファクターを探査するためにヘテロエピタキシャル成長について微視的な視点から解析を行った.Ge/Si(001)ヘテロエピタキシー成長において,Ge吸着原子が感じるポテンシャルエネルギー表面を算出し,濡れ層の堆積に伴って,吸着サイトは変化しないものの,Ge吸着原子の表面拡散は変化することを示した.また,表面上での様々な素過程に対しての活性化エネルギー障壁を評価し,濡れ層の増加によってEnrlich-Schwoebel障壁は増加し,上段テラスと下段テラスとの間の吸着原子の移動は抑制されることを明らかにした.動的モンテカルロ法による結晶成長シミュレーションを用いて,基板のひずみによって核形成速度や形成された島の形状が異なることを示した.
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Electronic States and Stability of Metal/Oxide Interface withMisfit byFirst-Principles Calculations
第一性原理计算错配金属/氧化物界面的电子态和稳定性
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Daisuke Matsunaka, et. al.]
通讯作者:
et. al.
First-principles calculations of coherent and incoherent metal/MgO interface
相干和非相干金属/MgO界面的第一性原理计算
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Akio Yonezu, Hiroyuki Hirakata, Kohii Minoshima, D. Matsunaka and Y. Shibutani]
通讯作者:
D. Matsunaka and Y. Shibutani
DOI:
10.1103/physrevb.77.165435
发表时间:
2008-04-01
期刊:
PHYSICAL REVIEW B
影响因子:
3.7
作者:
[Matsunaka, Daisuke, Shibutani, Yoji]
通讯作者:
Shibutani, Yoji
First-principles Calculations of Adhesive Behavior at Metal/oxide Incoherent Interfaces
金属/氧化物非共格界面粘合行为的第一性原理计算
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Furushima, K. Manabe, S. Alexsandrov, T. Takaki, D. Matsunaka and Y. Shibutani]
通讯作者:
D. Matsunaka and Y. Shibutani
KMC法を用いた薄膜成長に及ぼすひずみ依存性に関する考察
使用 KMC 方法考虑薄膜生长的应变依赖性
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[土井嘉治, 松中大介, 澁谷陽二]
通讯作者:
澁谷陽二
共 13 条
First-principles modeling study of metal/oxide heterointerface
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批准号:25820009
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.16万
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财政年份:2013
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负责人:MATSUNAKA Daisuke
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依托单位:
海外基金