Single photon emitter using single electron transistor
Single photon emitter using single electron transistor
批准号:
19681016
负责人:
NAKAOKA Toshihiro
金额:
$12.98万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2009
中文摘要
在本研究中,我们研制了一个单电子晶体管单光子发射器。其目的是在发射单光子之前控制点中的电子数量。我们已经成功地制作了一个单电子器件的基础上的量子点与覆盖层。我们已经展示了从嵌入在器件结构中的点的栅极控制的光致发光和光电流。
英文摘要
In this study, we have developed a single photon emitter with single electron transistor. The aim is to control number of electrons in a dot before emitting single photons. We have succeeded in fabricating a single electron device based on a quantum dot with a capping layer. We have shown a gate controlled photoluminescence and photocurrent from the dots embedded in the device structure.
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Gate-Controlled Electron Tunneling, Photocurrent and Photoemission in Self-assembled Quantum Dots
自组装量子点中的栅控电子隧道、光电流和光电发射
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Nakaoka, K. Watanabe, N. Kumagai, Y. Arakawa]
通讯作者:
Y. Arakawa
Electrical tuning of g-factor in single self-assembled quantum dot
单个自组装量子点中 g 因子的电调谐
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Nakaoka, S. Tarucha, Y. Arakawa]
通讯作者:
Y. Arakawa
DOI:
10.1063/1.2909556
发表时间:
2008-04-21
期刊:
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子:
4
作者:
[Miyazawa, Toshiyuki, Nakaoka, Toshihiro, Yokoyama, Naoki]
通讯作者:
Yokoyama, Naoki
自己形成量子ドットを用いた単電子トランジスタ構造における光電流、発光の制御
使用自形成量子点控制单电子晶体管结构中的光电流和光发射
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[中岡俊裕, 渡邉克之, 熊谷直人, 荒川泰彦]
通讯作者:
荒川泰彦
Electric field modulation of exciton recombination in InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3μm
1.3μm 发射波长的 InAs/GaAs 量子点中激子复合的电场调制
DOI:
10.1063/1.2947603
发表时间:
2008
期刊:
Journal of Applied Physics
影响因子:
3.2
作者:
[T. Miyazawa, T. Nakaoka, Tatsuya Usuki, J. Tatebayashi, Y. Arakawa, S. Hirose, K. Takemoto, M. Takatsu, N. Yokoyama]
通讯作者:
N. Yokoyama
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