Single photon emitter using single electron transistor

使用单电子晶体管的单光子发射器

• 批准号: 19681016
• 负责人: NAKAOKA Toshihiro
• 金额: $ 12.98万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19681016/
• 关键词: 単電子トランジスタ; 単一光子素子; 量子ドット

In this study, we have developed a single photon emitter with single electron transistor. The aim is to control number of electrons in a dot before emitting single photons. We have succeeded in fabricating a single electron device based on a quantum dot with a capping layer. We have shown a gate controlled photoluminescence and photocurrent from the dots embedded in the device structure.

在这项研究中，我们开发了带有单电子晶体管的单光子发射器。目的是在发射单个光子之前控制点中的电子数量。我们成功地制造了基于带有覆盖层的量子点的单电子器件。我们已经展示了来自嵌入器件结构中的点的栅极控制的光致发光和光电流。

项目成果

Gate-Controlled Electron Tunneling, Photocurrent and Photoemission in Self-assembled Quantum Dots

自组装量子点中的栅控电子隧道、光电流和光电发射

• 发表时间: 2008
• 作者: T. Nakaoka;K. Watanabe;N. Kumagai;Y. Arakawa
• 通讯作者: Y. Arakawa

Electrical tuning of g-factor in single self-assembled quantum dot

单个自组装量子点中 g 因子的电调谐

• 发表时间: 2007
• 作者: T. Nakaoka;S. Tarucha;Y. Arakawa
• 通讯作者: Y. Arakawa

Exciton dynamics in current-injected single quantum dot at 1.55 μm

• DOI: 10.1063/1.2909556
• 发表时间: 2008-04-21
• 期刊: APPLIED PHYSICS LETTERS
• 影响因子: 4
• 作者: Miyazawa, Toshiyuki;Nakaoka, Toshihiro;Yokoyama, Naoki
• 通讯作者: Yokoyama, Naoki

自己形成量子ドットを用いた単電子トランジスタ構造における光電流、発光の制御

使用自形成量子点控制单电子晶体管结构中的光电流和光发射

• 发表时间: 2008
• 作者: 中岡俊裕;渡邉克之;熊谷直人;荒川泰彦
• 通讯作者: 荒川泰彦

Electric field modulation of exciton recombination in InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3μm

1.3μm 发射波长的 InAs/GaAs 量子点中激子复合的电场调制

• DOI: 10.1063/1.2947603
• 发表时间: 2008
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: T. Miyazawa;T. Nakaoka;Tatsuya Usuki;J. Tatebayashi;Y. Arakawa;S. Hirose;K. Takemoto;M. Takatsu;N. Yokoyama
• 通讯作者: N. Yokoyama