Study of radiative recombination lifetimes of excitons in disk-shaped semiconductor quantum dots

盘状半导体量子点中激子的辐射复合寿命研究

基本信息

  • 批准号:
    19740174
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.25万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

ディスク状InAs/InP量子ドットにおける励起子の輻射再結合寿命をアップコンバージョン法による時間分解PL測定によって調べた。ディスクの高さが低くなるにしたがって、電子波動関数の障壁層への浸み出しによる励起子寿命の僅かな上昇が見られた。また、励起子のディスク面内方向の閉じ込めによるエネルギースペクトルの離散化により、輻射再結合寿命の温度依存性がかなり抑えられることが分かった。
Double-shaped InAs/InP Quantum excitation Actuator firing combined with Life cycle testing time decomposition of PL measurement. High temperature, low temperature, high temperature, low temperature, high temperature The device, the exciter, the in-plane direction, the temperature dependence, the temperature dependence, the radiation life, the temperature dependence, the radiation life, the temperature dependence, the temperature dependence.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
One-dimensional and Two-dimensional Spectral Diffusion in InP/InAs/InP Core-Multishell Nanowires
InP/InAs/InP核-多壳纳米线中的一维和二维光谱扩散
CdTe/ZnTe量子井戸及び自己形成量子ドットにおける時間分解カー回転測定
CdTe/ZnTe 量子阱和自组装量子点中的时间分辨克尔旋转测量
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    冨本慎一;野澤伸介;寺井慶和;黒田眞司;瀧田宏樹;舛本泰章
  • 通讯作者:
    舛本泰章
InAs/InP量子井戸及びディスク状量子ドットにおける励起子輻射再結合寿命
InAs/InP量子阱和盘状量子点中激子辐射复合寿命
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    冨本慎一;黒川篤;佐久間芳樹;臼杵達哉;舛本泰章
  • 通讯作者:
    舛本泰章
Radiative recombination of excitons in disk-shaped InAs/InP quantum dots
盘状 InAs/InP 量子点中激子的辐射复合
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Tomimoto;A. Kurokawa;Y. Sakuma;T. Usuki;Y. Masumoto
  • 通讯作者:
    Y. Masumoto
チャージチューナブルInP量子ドットにおける電子スピンのピコ秒ダイナミクス
电荷可调 InP 量子点中电子自旋的皮秒动力学
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    川名啓介;冨本慎一;野澤伸介;舛本泰章
  • 通讯作者:
    舛本泰章
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

TOMIMOTO Shinichi其他文献

TOMIMOTO Shinichi的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似海外基金

Non contact measurement of Semiconductor Properties
半导体特性的非接触式测量
  • 批准号:
    10074644
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.25万
  • 项目类别:
    Grant for R&D
Validation of predicted solution processed organic semiconductor properties
验证预测的溶液加工有机半导体特性
  • 批准号:
    DP220102124
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.25万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
電気分極由来の傾斜したバンド構造により発現する強誘電体の半導体物性
铁电体的半导体特性通过电极化产生的倾斜能带结构表现出来
  • 批准号:
    20KK0330
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.25万
  • 项目类别:
    Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (A))
Development of novel tetrabenzoporphyrins with excellent semiconductor properties
具有优异半导体性能的新型四苯并卟啉的开发
  • 批准号:
    16K05892
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.25万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Relationship between order-disorder transition and semiconductor properties in chalcopyrite phase ZnSnP_2
黄铜矿相ZnSnP_2有序-无序转变与半导体性能的关系
  • 批准号:
    21760599
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 2.25万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
蛍光EXAFS法による半導体中の極希薄原子周辺局所構造と半導体物性の解析
利用荧光 EXAFS 方法分析半导体中超稀原子周围的局域结构和半导体物理性质
  • 批准号:
    12750259
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 2.25万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
炭化ホウ素のCVD合成と熱電半導体物性
碳化硼的CVD合成及热电半导体性能
  • 批准号:
    01550589
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 2.25万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
黒リン単結晶の半導体物性の実験的・理論的研究
黑磷单晶半导体性能的实验与理论研究
  • 批准号:
    57460018
  • 财政年份:
    1982
  • 资助金额:
    $ 2.25万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
弾性表面波の半導体物性研究への応用
声表面波在半导体物性研究中的应用
  • 批准号:
    X00090----255007
  • 财政年份:
    1977
  • 资助金额:
    $ 2.25万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
Semiconductor Properties of Minerals
矿物的半导体特性
  • 批准号:
    7602721
  • 财政年份:
    1976
  • 资助金额:
    $ 2.25万
  • 项目类别:
    Standard Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了