Electronic structures of carbon nanotubes studied by Green function theory

格林函数理论研究碳纳米管的电子结构

• 批准号: 19740181
• 负责人: KORETSUNE Takashi
• 金额: $ 1.81万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19740181/
• 关键词: カーボンナノチューブ; 不純物準位; 第一原理計算; 電子格子相互作用; 超伝導; フラーレン; グリーン関数理論; ホウ素; 窒素; GW法

Electronic structures of impurity-doped carbon nanotubes were studied systematically in order to discuss the application to semiconductor device and the possibility of superconductivity. We discussed impurity levels of boron- or nitrogen-doped nanotubes, the doping rate dependence of the electronic structures, and the effect of three-dimensionality in multi-walled nanotubes. Furthermore, to discuss the detailed physical properties, we developed the method using Green function theory based on the density functional theory.

系统地研究了掺杂碳纳米管的电子结构，以探讨其在半导体器件中的应用和超导的可能性。讨论了掺硼或掺氮纳米管的杂质能级、电子结构与掺杂率的关系以及多壁纳米管中三维结构的影响。此外，为了讨论详细的物理性质，我们发展了基于密度泛函理论的格林函数方法。

项目成果

Electronic structures and electron-phonon interactions of the boron-doped carbon nanotubes

硼掺杂碳纳米管的电子结构和电子-声子相互作用

• 发表时间: 2008
• 作者: 是常隆;斎藤晋
• 通讯作者: 斎藤晋

Electronic structure of boron-doped carbon nanotubes

• DOI: 10.1103/physrevb.77.165417
• 发表时间: 2008-04
• 期刊: Physical Review B
• 影响因子: 3.7
• 作者: T. Koretsune;S. Saito

Electronic structure of boron-doped carbon nanotube

硼掺杂碳纳米管的电子结构

• 发表时间: 2008
• 作者: 是常 隆;斎藤 晋
• 通讯作者: 斎藤 晋

Electron-phonon coupling of the alkali-doped fullerides

碱掺杂富勒烯化合物的电子-声子耦合

• 发表时间: 2010
• 作者: 是常隆;斎藤晋
• 通讯作者: 斎藤晋

Electronic structures of impurity doped carbon nanotubes

掺杂碳纳米管的电子结构

• 发表时间: 2009
• 作者: 是常隆;斎藤晋
• 通讯作者: 斎藤晋