Electronic structures of surface superstructures having strong electron correlation
Electronic structures of surface superstructures having strong electron correlation
批准号:
19740184
负责人:
TAKEDA Sakura
金额:
$2.2万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2009
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
Changes of electrical conductance and atomic structure of Si(111)7x7 surface upon adsorption of various metals were investigated. At initial adsorption stages of some metals such as K and Mg, increase of the surface conductance was observed. This increase was found to coincident to a formation of a specific arrangement of adsorbed atoms within unit cells.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
超高真空試料冷却電気伝導度測定機構の開発
超高真空样品冷却电导率测量机构的研制
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[酒井智香子、桑子敦、吉川雅章、大西洋平、武田さく, ら、大門寛]
通讯作者:
ら、大門寛
GaおよびPb吸着Si(111)ホールサブバンドのエネルギー準位の解析
Ga和Pb吸附Si(111)空穴子带的能级分析
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[森田 誠、武田さく, ら、吉川雅章、大門寛]
通讯作者:
ら、吉川雅章、大門寛
Conductance and structure changes at the very initial stage of K adsorption on Si(111)
Si(111)上K吸附初期的电导和结构变化
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Yasui, S.N. Takeda, K. Matsuda, K. Shima, C. Sakai, H. Daimon]
通讯作者:
H. Daimon
Si反転層中のホールサブバンド分散」
“Si反型层中的空穴子带色散”
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[武田さくら, 森田 誠, 大杉拓也, 谷川洋平, 大門 寛]
通讯作者:
大門 寛
ARPES measurements on Si (1 1 1)hole subband induced by Pb and Ga adsorption
Pb 和 Ga 吸附引起的 Si (1 1 1) 空穴子带的 ARPES 测量
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
Appl. Surf. Sci. 254
影响因子:
--
作者:
[Itakura, S., Yoshitaka Watanabe, 石黒浩, Yasuda I., Shirahase,Sawako, M. Morita]
通讯作者:
M. Morita
共 46 条
海外基金