Electronic structures of surface superstructures having strong electron correlation

具有强电子相关性的表面超结构的电子结构

• 批准号: 19740184
• 负责人: TAKEDA Sakura
• 金额: $ 2.2万
• 依托单位: Nara Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19740184/
• 关键词: 表面・界面; 電子物性; Si(111); Pb; イルカリ土類; ARPES; RHEED; 電気伝導度; アルカリ; アルカリ土類; STM; 表面電子状態; 角度分解光電子分光; 強相関電子系; 表面超構造

Changes of electrical conductance and atomic structure of Si(111)7x7 surface upon adsorption of various metals were investigated. At initial adsorption stages of some metals such as K and Mg, increase of the surface conductance was observed. This increase was found to coincident to a formation of a specific arrangement of adsorbed atoms within unit cells.

研究了吸附各种金属后Si(111)7x7表面电导率和原子结构的变化。在某些金属（例如钾和镁）的初始吸附阶段，观察到表面电导的增加。发现这种增加与晶胞内吸附原子的特定排列的形成一致。

项目成果

超高真空試料冷却電気伝導度測定機構の開発

超高真空样品冷却电导率测量机构的研制

• 发表时间: 2008
• 作者: 酒井智香子、桑子敦、吉川雅章、大西洋平、武田さく;ら、大門寛
• 通讯作者: ら、大門寛

GaおよびPb吸着Si(111)ホールサブバンドのエネルギー準位の解析

Ga和Pb吸附Si(111)空穴子带的能级分析

• 发表时间: 2007
• 作者: 森田 誠、武田さく;ら、吉川雅章、大門寛
• 通讯作者: ら、吉川雅章、大門寛

Conductance and structure changes at the very initial stage of K adsorption on Si(111)

Si(111)上K吸附初期的电导和结构变化

• 发表时间: 2007
• 作者: S. Yasui;S.N. Takeda;K. Matsuda;K. Shima;C. Sakai;H. Daimon
• 通讯作者: H. Daimon

Si反転層中のホールサブバンド分散」

“Si反型层中的空穴子带色散”

• 发表时间: 2008
• 作者: 武田さくら;森田 誠;大杉拓也;谷川洋平;大門 寛
• 通讯作者: 大門 寛

ARPES measurements on Si (1 1 1)hole subband induced by Pb and Ga adsorption

Pb 和 Ga 吸附引起的 Si (1 1 1) 空穴子带的 ARPES 测量

• 发表时间: 2008
• 期刊: Appl. Surf. Sci. 254
• 作者: Itakura;S.;Yoshitaka Watanabe;石黒浩;Yasuda I.;Shirahase,Sawako;M. Morita
• 通讯作者: M. Morita