Tunneling transistors with transition-metal oxide base layers
Tunneling transistors with transition-metal oxide base layers
具有过渡金属氧化物基层的隧道晶体管
批准号：
19740197
负责人：
SUSAKI Tomofumi
金额：
$2.28万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
中文摘要
翻译
研究成果の概要:遷移金属酸化物を用いたトンネルトランジスタの実現を目指し、チタン、バナジウム、マンガン酸化物などの酸化物薄膜をレーザーアブレーション法により精密に作製した。分極積層の効果を利用した界面における局所的なホールドープに成功し、広く研究されているバンド絶縁体に加え、モット絶縁体への局所的ドープが可能であることを示した。さらにショットキー接合における負性抵抗実現、ダイオードの極性の温度による反転などの特異な現象を見出した。
英文摘要
研究成果の概要:遷移金属酸化物を用いたトンネルトランジスタの実現を目指し、チタン、バナジウム、マンガン酸化物などの酸化物薄膜をレーザーアブレーション法により精密に作製した。分極積層の効果を利用した界面における局所的なホールドープに成功し、広く研究されているバンド絶縁体に加え、モット絶縁体への局所的ドープが可能であることを示した。さらにショットキー接合における負性抵抗実現、ダイオードの極性の温度による反転などの特異な現象を見出した。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
DOI：
10.1103/physrevb.79.075415
发表时间：
2008-10
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
[T. Higuchi;Y. Hotta;T. Susaki;A. Fujimori;H. Hwang]
通讯作者：
T. Higuchi;Y. Hotta;T. Susaki;A. Fujimori;H. Hwang
Negative defferential resistance induced by Mn substitution at SrRu O3/Nb:SrTiO3 Schottky interfaces
SrRu O3/Nb:SrTiO3 肖特基界面处 Mn 取代引起的负微分电阻
SrRu O3/Nb:SrTiO3 肖特基界面处 Mn 取代引起的负微分电阻
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Phys. Rev. B 77
影响因子：
--
作者：
[Yasuyuki Hikita, Lena Fitting Kourkoutis, Tomofumi Susaki, David A. Muller, Hidenori Takagi, and Harold Y.Hwang]
通讯作者：
and Harold Y.Hwang
DOI：
10.1002/adma.200701919
发表时间：
2008-07-02
期刊：
ADVANCED MATERIALS
影响因子：
29.4
作者：
[Song, Jong Hyun, Susaki, Tomofumi, Hwang, Harold Y.]
通讯作者：
Hwang, Harold Y.
Enhanced Thermodynamic Stability of EpitaxiaI Oxide Thin Films
增强外延氧化物薄膜的热力学稳定性
增强外延氧化物薄膜的热力学稳定性
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
ADVANCED MATERIALS 20
影响因子：
--
作者：
[Jong Hyun Song, Tomofumi Susaki, and Harold Y.Hwang]
通讯作者：
and Harold Y.Hwang
Temperature-dependent polarity reversal in Au/Nb:SrTiO_3
Au/Nb:SrTiO_3 中随温度变化的极性反转
Au/Nb:SrTiO_3 中随温度变化的极性反转
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Phys. Rev. B 76
影响因子：
--
作者：
[T. Susaki, Y. Kozuka, Y. Tateyama, and H. Y. Hwang]
通讯作者：
and H. Y. Hwang
Work function modulation in the heterostructures of semiconducting and insulating oxides
-
批准号：25286056
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额：$11.81万
-
财政年份：2013
-
负责人：SUSAKI Tomofumi
-
依托单位：
海外基金