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Work function modulation in the heterostructures of semiconducting and insulating oxides

Work function modulation in the heterostructures of semiconducting and insulating oxides
半导体和绝缘氧化物异质结构中的功函数调制
批准号:
25286056
负责人:
SUSAKI Tomofumi
金额:
$11.81万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2016-03-31

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DOI: 10.1038/srep20943
发表时间: 2016-02-15
期刊: Scientific reports
影响因子: 4.6
作者: [Gilks D, Nedelkoski Z, Lari L, Kuerbanjiang B, Matsuzaki K, Susaki T, Kepaptsoglou D, Ramasse Q, Evans R, McKenna K, Lazarov VK]
通讯作者: Lazarov VK
Examination of interfacial charge transfer in photocatalysis using patterned CuO thin film deposited on TiO2
使用沉积在 TiO2 上的图案化 CuO 薄膜检查光催化中的界面电荷转移
DOI: 10.1063/1.4926934
发表时间: 2015
期刊: APL Materials
影响因子: 6.1
作者: [K. Osako, K. Matsuzaki, H. Hosono, G. Yin, D. Atarashi, E. Sakai, T. Susaki, and M. Miyauchi]
通讯作者: and M. Miyauchi
p型窒化銅半導体薄膜
p型氮化铜半导体薄膜
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
Epitaxial growth of bipolar conducting Cu3N (100) thin films
双极导电 Cu3N (100) 薄膜的外延生长
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [K. Matsuzaki, H. Hosono, T. Susaki]
通讯作者: T. Susaki
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    Tunneling transistors with transition-metal oxide base layers
    • 批准号:
      19740197
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额:
      $2.28万
    • 财政年份:
      2007
    • 负责人:
      SUSAKI Tomofumi
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金
    H13表面激光熔覆原位自生TiC/高熵合金复合涂层熔池演化与界面多尺度强韧化
    • 批准号:
      JCZRLH202600416
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
    • 依托单位:
    石墨烯取向调控制动接触界面摩擦学行为研究
    • 批准号:
      2026JJ80495
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      万长鑫
    • 依托单位:
    梯度润湿层级微纳结构表面液滴定向输运与冷凝换热机理研究
    • 批准号:
      2026JJ60188
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      彭启
    • 依托单位:
    基于REO/SiC界面调控的纳米复合强化自洁玻璃技术开发
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      黄兴才
    • 依托单位: