DEPTH PROFILING OF HYDROGEN IN SILICON OXIDE AND HIGH-K OXIDE FILMSBY TIME-OF-FLIGHT ERASTIC RECOIL DETECTION

通过飞行时间弹性反冲检测对二氧化硅和高 K 氧化物薄膜中的氢进行深度分析

基本信息

  • 批准号:
    19760024
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.28万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

大立体角のディレイラインディテクターを用いた飛行時間型の弾性反跳粒子検出法(飛行時間ERD)を開発し、極薄ゲート絶縁膜(シリコン酸化膜、high-k酸化膜)の膜中の水素プロファイルの測定に応用した。本装置における反跳粒子の検出効率を評価した。ディレイラインディテクター上の検出位置に対応して、反跳粒子のエネルギー(飛行時間)を試料中の水素の深さに換算する解析ソフトの開発を行なった。水素の分析に関する深さ分解能は約10nmで、極薄ゲート絶縁膜を分析する上で目標にした深さ分解能を得ることができなかった。
The time-of-flight (time-of-flight ERD) method is used for the detection of water elements in thin dielectric films (high-k acidified films, high-k acidified films). The detection efficiency of bounce particles in this device is evaluated. The detection position on the sample is related to the occurrence of rebound particles (flight time), and the analysis of water content in the sample is carried out. Water element analysis related to the deep decomposition energy of about 10nm, extremely thin film analysis on the purpose of deep decomposition energy

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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硅中掺杂剂高分辨率深度分析的发展
  • 批准号:
    24560027
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 2.28万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

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