Development of high-resolution depth profiling of dopants in silicon
Development of high-resolution depth profiling of dopants in silicon
硅中掺杂剂高分辨率深度分析的发展
批准号：
24560027
负责人：
NAKAJIMA Kaoru
金额：
$3.49万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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A compact high-resolution elastic recoil detection system for lithium depth profiling
用于锂深度剖析的紧凑型高分辨率弹性反冲检测系统
用于锂深度剖析的紧凑型高分辨率弹性反冲检测系统
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Nikko, K. Nakajima, K. Kimura]
通讯作者：
K. Kimura
ナノ物性工学 - 京都大学大学院工学研究科 マイクロエンジニアリング専攻
纳米材料工学 - 京都大学大学院工学研究科微工学系
纳米材料工学 - 京都大学大学院工学研究科微工学系
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Emission of secondary ions after grazing impact of keV ions on solid surfaces
keV 离子掠过固体表面后的二次离子发射
keV 离子掠过固体表面后的二次离子发射
DOI：
10.1016/j.nimb.2014.07.035
发表时间：
2014
期刊：
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B
影响因子：
--
作者：
[K. Nakajima, J. Lienemann, P. Eberlein, K. Kimura, K. Maass, H. Winter]
通讯作者：
H. Winter
High-resolution Eｌastic Recoil Detection for Boron Depth Profiling
用于硼深度剖析的高分辨率弹性反冲检测
用于硼深度剖析的高分辨率弹性反冲检测
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. Kono, Y. Arai, T. Maruoka, M. Yamamoto, Y. Goto, S. Takahashi, T. Nishiyama, H. Horibe, Kaoru Sasakawa]
通讯作者：
Kaoru Sasakawa
トップページ - 京都大学大学院工学研究科 マイクロエンジニアリング専攻
主页 - 京都大学大学院工学研究科微型工学科
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DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 6 条
DEPTH PROFILING OF HYDROGEN IN SILICON OXIDE AND HIGH-K OXIDE FILMSBY TIME-OF-FLIGHT ERASTIC RECOIL DETECTION
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批准号：19760024
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.28万
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财政年份：2007
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负责人：NAKAJIMA Kaoru
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依托单位：
海外基金