Development of high-resolution depth profiling of dopants in silicon

硅中掺杂剂高分辨率深度分析的发展

基本信息

  • 批准号：
    24560027
  • 负责人：
    NAKAJIMA Kaoru
  • 金额：
    $ 3.49万
  • 依托单位：
    Kyoto University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2012
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
A compact high-resolution elastic recoil detection system for lithium depth profiling
用于锂深度剖析的紧凑型高分辨率弹性反冲检测系统
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Nikko;K. Nakajima;K. Kimura
  • 通讯作者：
    K. Kimura
ナノ物性工学 - 京都大学大学院工学研究科 マイクロエンジニアリング専攻
纳米材料工学 - 京都大学大学院工学研究科微工学系
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Emission of secondary ions after grazing impact of keV ions on solid surfaces
keV 离子掠过固体表面后的二次离子发射
マイクロエンジニアリング専攻 - 京都大学 工学部・大学院工学研究科
微型工程系 - 京都大学工学部/工学研究科
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
High-resolution Eｌastic Recoil Detection for Boron Depth Profiling
用于硼深度剖析的高分辨率弹性反冲检测
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    A. Kono;Y. Arai;T. Maruoka;M. Yamamoto;Y. Goto;S. Takahashi;T. Nishiyama;H. Horibe;Kaoru Sasakawa
  • 通讯作者：
    Kaoru Sasakawa
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