有機単結晶のヘテロ接合による界面電子伝導層の創製とデバイス機能の研究
有機単結晶のヘテロ接合による界面電子伝導層の創製とデバイス機能の研究
批准号:
08J01640
负责人:
山岸 正和
金额:
$1.15万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2008
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2008 至 2010
中文摘要
本研究では、有機半導体層の絶縁体/半導体界面やキャリアドープ層/半導体界面などのヘテロ接合界面近傍に高移動度かつ高キャリア密度の電子伝導層を構築し、この新奇ハイブリッド材料の界面電子系を超伝導などの物性発現およびデバイスへの応用に結びつけることを目的としている。今年度は、電界効果トランジスタ構造を援用して、実際の有機デバイスに多く用いられているいくつかの界面の電子伝導チャンネルのホール効果測定を行い、キャリアの基本的な電子状態と伝導機構の違いを明らかにした。以下に、応用上特に重要である高移動度を示す結晶性塗布膜FETと、実際に様々な有機デバイスで重要な機能性を発現している電子供与性分子層/電子受容性分子層の界面での伝導機構について報告する。[alkyl-BTBTおよびalkyl-DNTT結晶性塗布膜の結晶性評価とキャリア伝導機構]最近、我々のグループで開発したalkyl-BTBTおよびalkyl-DNTT分子の結晶性塗布膜トランジスタの結晶性の評価とホール効果測定を行った。これらの結晶性薄膜は、溶媒が一方向に乾燥するように工夫することによって得られ、これまでの塗布型有機FETに比べ、1-2桁高いキャリア移動度を示す。まず、X線回折測定によって、数百ミクロンサイズの単結晶が成長していることを明らかにした。また、ホール効果測定の結果、結晶薄膜中および単結晶中で正孔が分子間に非局在化して自由電子的な電子状態であることがわかった。この簡便な塗布法によって作製した有機半導体層でキャリアが高い伝導性を示すバンド伝導を実現している結果は、有機半導体デバイスの応用研究のための重要な基盤となる。[電子供与性分子層/電子受容性分子層の界面のキャリア伝導機構]新しい有機半導体界面であるアクセプターとドナーの"電荷移動界面"においても、キャリアが非局在化し"バンド伝導"していることを明らかにした。キャリアの高い伝導性を示した今回の結果は、アクセプターとドナーの界面を有する有機太陽電池や有機ELなどの有機デバイスのさらなる高性能化の基礎科学的根拠となる。
英文摘要
本研究では、有機半導体層の絶縁体/半導体界面やキャリアドープ層/半導体界面などのヘテロ接合界面近傍に高移動度かつ高キャリア密度の電子伝導層を構築し、この新奇ハイブリッド材料の界面電子系を超伝導などの物性発現およびデバイスへの応用に結びつけることを目的としている。今年度は、電界効果トランジスタ構造を援用して、実際の有機デバイスに多く用いられているいくつかの界面の電子伝導チャンネルのホール効果測定を行い、キャリアの基本的な電子状態と伝導機構の違いを明らかにした。以下に、応用上特に重要である高移動度を示す結晶性塗布膜FETと、実際に様々な有機デバイスで重要な機能性を発現している電子供与性分子層/電子受容性分子層の界面での伝導機構について報告する。[alkyl-BTBTおよびalkyl-DNTT結晶性塗布膜の結晶性評価とキャリア伝導機構]最近、我々のグループで開発したalkyl-BTBTおよびalkyl-DNTT分子の結晶性塗布膜トランジスタの結晶性の評価とホール効果測定を行った。これらの結晶性薄膜は、溶媒が一方向に乾燥するように工夫することによって得られ、これまでの塗布型有機FETに比べ、1-2桁高いキャリア移動度を示す。まず、X線回折測定によって、数百ミクロンサイズの単結晶が成長していることを明らかにした。また、ホール効果測定の結果、結晶薄膜中および単結晶中で正孔が分子間に非局在化して自由電子的な電子状態であることがわかった。この簡便な塗布法によって作製した有機半導体層でキャリアが高い伝導性を示すバンド伝導を実現している結果は、有機半導体デバイスの応用研究のための重要な基盤となる。[電子供与性分子層/電子受容性分子層の界面のキャリア伝導機構]新しい有機半導体界面であるアクセプターとドナーの"電荷移動界面"においても、キャリアが非局在化し"バンド伝導"していることを明らかにした。キャリアの高い伝導性を示した今回の結果は、アクセプターとドナーの界面を有する有機太陽電池や有機ELなどの有機デバイスのさらなる高性能化の基礎科学的根拠となる。
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DOI:
10.1143/jjap.49.01ab13
发表时间:
2010-01
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[T. Uemura;M. Yamagishi;S. Ono;J. Takeya]
通讯作者:
T. Uemura;M. Yamagishi;S. Ono;J. Takeya
電荷移動効果による有機単結晶表面へのキャリアドーピングと面内輸送特性
有机单晶表面的载流子掺杂和电荷转移效应引起的面内传输特性
DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[山岸正和, et al.]
通讯作者:
et al.
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Satoshi Ueno, Takashi Tatewaki, Toshiyuki Ohdaira, Yoshimi Shioya, Yasuo Kokubun, T.Kamada et al., Y. Okada et.al.]
通讯作者:
Y. Okada et.al.
Low-voltage operation of n-type organic field-effect transistors with ionicliquids
离子液体n型有机场效应晶体管的低压工作
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
Applied Physics Letter 95
影响因子:
--
作者:
[T.Uemura, M.Yamagishi, et al.]
通讯作者:
et al.
Dinaphthothienothiophene 薄膜トランジスタのホール効果
薄膜晶体管中的二萘并噻吩并噻吩霍尔效应
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[山岸正和, et al.]
通讯作者:
et al.
共 29 条
網羅的ゲノム解析による新規トリグリセライド代謝関連分子Xの発見とその機能解析
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批准号:24K11256
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2024
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负责人:山岸 正和
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依托单位:
等方的な有効質量をもつ有機半導体二次元伝導層の探索と伝導性評価
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批准号:22K05261
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.66万
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财政年份:2022
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负责人:山岸 正和
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依托单位:
Research for novel genetic basis of familial hypobetalipoproteinemia
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批准号:21K08066
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2021
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负责人:山岸 正和
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依托单位:
海外基金