Characterisation of structural defects in SiC by x-ray diffraction

X 射线衍射表征 SiC 中的结构缺陷

• 批准号: 5368700
• 负责人: Professor Dr. Andreas Magerl
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Kristallografie und Strukturphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2007-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5368700?language=en
• 关键词: Characterisation; structural; defects; SiC; ray

Sowohl bei der Zucht von SiC-Kristallen als auch während einer technologischen Weiterverarbeitung werden vielerlei Arten von Defekten in das Material eingebracht. Dieses Defektinventar limitiert heute wesentlich die Leistungsfähigkeit und damit letztendlich die Durchsetzung von SiC als Halbleitermaterial mit einem breiten Anwendungsbereich. Es ist wesentlich, diese Defekte zu erkennen und Ansatzpunkte für eine Reduzierung des Defektinventars zu definieren. Mit diesem Teilantrag werden in die Forschergruppe mehrere Röntgenstreumethoden eingebracht, um strukturelle Defekte verschiedenster Art und in einem weiten Konzentrationsbereich zu erkennen. Die Verfahren können entweder abbildend (Topographie) oder im Beugungsmodus genutzt werden. Insbesondere soll erstmalig hochenergetische Röntgenbeugung zur Anwendung gebracht werden, die es erlaubt, nicht nur dünne Wafer, sondern auch massive Volumenkristalle zerstörungsfrei im Beugungsmodus zu charakterisieren. Diese Untersuchungen sollen dazu beitragen, Wege zu definieren, um den ererbten Defektinhalt der gezüchteten Kristalle zu reduzieren und den erworbenen Defektzuwachs bei der Weiterverarbeitung zu Wafern und zu Bauelementen gering zu erhalten. Zusätzlich soll in diesem Antragszeitraum geklärt werden, unter welchen Voraussetzungen die Analysemethode der hochenergetischen Röntgenbeugung auf in situ-Untersuchungen ausgeweitet werden kann.

因此，在SiC-Kristallen的Zucht附近，也有一种韦尔登在材料方面非常出色的技术。这种缺陷限制了现在的使用寿命，并使SiC半导体材料的耐久性降低。Es ist wesentlich，diese Defekte zu erkennen und Ansatzpunkte für eine Reduzierung des Defektinventars zu definieren.这韦尔登在研究小组中使用了一种独特的方法，一种结构化的设计，一种独特的艺术和一种独特的概念。Die Verfahren können entweder abbildend（Topographie）oder im Beugungsmodus genutzt韦尔登. Insbesondere soll erstmalig hochenergetische Röntgenbeugung zur Anwendung gebracht韦尔登，die es erlaubt，nicht努尔dünne Wafer，sondern auch massive Volumenkristalle zerstörungsfrei im Beugungsmodus zu charakterisieren.这些发现必须以正确的方式来确定，以减少和消除在Wafern和Bauelementen的Weiterverarbeitung的Kristalle缺陷。因此，我们必须在这种背景下进行韦尔登，然后再利用高能量辐射的分析方法进行现场的韦尔登。