Nano-structure Control of Cu Interconnects by a Very High Purity Plating Processes and Its Application to Next-generation LSIs.

通过极高纯度电镀工艺控制铜互连的纳米结构及其在下一代大规模集成电路中的应用。

• 批准号: 20226014
• 负责人: ONUKI Jin
• 金额: $ 134.2万
• 依托单位: Ibaraki University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20226014/
• 关键词: 電子; 情報材料; LSI; Cu配線; 超高純度硫酸銅; 抵抗率; 粒界不純物; 収差補正TEM; 添加剤フリーめっき; Ru膜; クレヴァス; 収差補正STEM; Cu 配線; 添加剤フリー; 超高純度めっき材; 革新的高導電性; 分子動力学シミュレーション; TEG; Cuの高純度化; 微量不純物; 微細構造; ULSI; 超高純度めっき材料; 添加剤フリーめつき技術; 配線抵抗率; パルスめっき技術; 配線評価用TEG

Grain sizes and their distribution in very narrow Cu wires (≦50nm) have a crucial influence on device performances and reliabilities of LSIs. This is because the average grain size in Cu wires becomes smaller for narrower wires and especially. Very fine grains causes substantial resistivity increase and reliability degradation of Cu wires. In order to reduce resistivity and raise reliability, with the final goal being to enhance LSI performance, we have investigated the purification process of Cu wires using high-purity plating materials and little additives and gotten Cu wires with more than 30% lower resistivity than those made with conventional purity plating materials.

晶粒尺寸及其在非常狭窄的Cu线（50nm）中的分布对LSIS的设备性能和可靠性具有至关重要的影响。这是因为Cu线中的平均晶粒尺寸对于较窄的电线而言，尤其是较窄的电线变小。非常细的谷物会导致CU线的大幅抗性增加和可靠性降解。为了降低耐药性并提高可靠性，最终的目标是提高LSI性能，我们使用高纯度电镀材料和几乎没有添加剂的铜线进行了纯化过程，并获得了比常规纯度镀层材料制造的耐药性低于30％的CU线。

项目成果

基調講演,高純度めっきプロセスにより形成した超微細Cu配線の結晶構造と抵抗率

主题演讲，高纯电镀工艺形成的超细铜互连的晶体结构和电阻率

• 发表时间: 2012
• 作者: A. Inoue;牧口航;藤野陽三;Y. Homma;野田進;T. Kawano;伊藤重剛,林田義伸;T. Adschiri;大貫仁
• 通讯作者: 大貫仁

ナノ構造制御による次世代LSI用低抵抗率Cu配線の形成

通过纳米结构控制形成下一代LSI的低电阻率铜布线

• 发表时间: 2010
• 作者: 奥川晃宏;真弓広太郎;池戸昭仁;石田誠;河野剛士;大貫仁
• 通讯作者: 大貫仁

超微細Cu配線の微細構造と抵抗率に及ぼす硫酸銅純度の影響

硫酸铜纯度对超细铜互连线微观结构和电阻率的影响

• 发表时间: 2011
• 期刊: 日本金属学会誌
• 作者: 田代優、K;P.Khoo、大貫仁
• 通讯作者: P.Khoo、大貫仁

Void Generation during Annealing Process of Very Narrow Copper Wires

极细铜线退火过程中空洞的产生

• 发表时间: 2008
• 作者: Y. Sasajimal;T. Akabane;T. Nagai;Y Chonan and J. Onuki
• 通讯作者: Y Chonan and J. Onuki

解説記事2件

2 篇解释文章