Development of spintronic materials with multi-functionality

多功能自旋电子材料的开发

基本信息

  • 批准号:
    20360005
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.65万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2008 至 2010
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

(1) Reduced spin magnetic moment in half-metallic compounds : The magnetic and transport properties of bulk polycrystalline samples of Fe_2(Cr_<1-x>M_x)Si (M=Ti, V) Heusler conpounds have been investigated. These Fe-containing Heusler conpounds were found to be half-metals with low magnetic moment and large densities of states at the Fermi energy.(2) Strain effect in an antiferromagnetic Heusler compound : Strain effect on the properties of an antiferromagnetic Heusler compound Fe_2VSi was investigated. The strong enhancement in antiferromagnetic Neel temperatures T_N up to 193K was observed in coherently strained Fe_2VSi films.(3) Half-metallicity in an antiferromagnetic material : Coexistence of antiferromagnetism and high spin polarization has been found in bulk samples of double perovskite SrLaVMoO_6. The large enhancement in Neel temperatures T_N was observed in epitaxial SrLaVMoO_6 thin films. Experimental evidence of a half-metallic electronic structure was obtained from XPS study.(4) Experiments on half-metallic nano-hetero structures : We have developed the junction method using NbN as a superconducting electrode for measuring spin polarization of various ferromagnetic materials including half-metals. Application of this NbN junction method to Fe_4N, which was predicted to have current spin polarization P_σ of 1, resulted in DOS spin polarization P_<DOS> of -0.68. The NbN junction method was found to be a versatile technique which can simultaneously measure two types of spin polarization of P_<DOS> and P_σ.
(1)半金属化合物中的约化自旋磁矩:研究了Fe_2(Cr_<1-x>M_x)Si(M=Ti,V)Heusler化合物大块多晶样品的磁性和输运性质。这些含Fe的Heusler化合物被发现是具有低磁矩和在费米能量下的大态密度的半金属。(2)反铁磁Heusler化合物中的应变效应:研究了应变对反铁磁Heusler化合物Fe_2VSi性质的影响。在共格应变Fe_2VSi薄膜中观察到反铁磁Neel温度T_N的强烈增强,最高可达193 K。(3)反铁磁材料中的半金属性:在双钙钛矿SrLaVMoO_6体样品中发现了反铁磁和高自旋极化的共存。在外延SrLaVMoO_6薄膜中观察到了Neel温度T_N的大幅度提高。从XPS研究中获得了半金属电子结构的实验证据。(4)半金属纳米异质结构的实验:我们已经开发了使用NbN作为超导电极的结方法,用于测量包括半金属在内的各种铁磁材料的自旋极化。将这种NbN结方法应用于Fe_4N(预测其电流自旋极化P_σ为1),得到DOS自旋极化P_σ<DOS>为-0.68。NbN结法是一种通用的方法,它可以同时测量P_和P_σ两种自旋极化<DOS>。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Carrier doping effects in the antiferromagnetic double perovskite Sr_<2-x>La_xVMoO_6
反铁磁双钙钛矿Sr_<2-x>La_xVMoO_6中的载流子掺杂效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T.Hohjo;H.Matsushima;H.Gotoh;Y.Takeda;K.Ueda;H.Asano
  • 通讯作者:
    H.Asano
Structures and spin polarization of an antiferromagnet SrLaVMoO6
反铁磁体 SrLaVMoO6 的结构和自旋极化
  • DOI:
    10.3379/msjmag.0912rc0009
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Matsushima;H. Gotoh;Y. Takeda;K. Ueda;H. Asano;J. Zhong;A. Rajanikanth;K. Hono
  • 通讯作者:
    K. Hono
Measurement of Interfacial Spin Polarization of Ferromagnetic Materials with the Use of Epitaxial NbN Junctions
使用外延 NbN 结测量铁磁材料的界面自旋极化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K.Kurachi;T.Kuroda;T.Ono;Y.Takeda;H.Asano
  • 通讯作者:
    H.Asano
Fe基ホイスラー合金Fe_2Cr_<1-x>M_xSi (M =Ti, V)の磁性と電子構造
铁基霍斯勒合金Fe_2Cr_<1-x>M_xSi (M =Ti, V)的磁性和电子结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高橋一成;深谷直人;竹田陽一;浅野秀文
  • 通讯作者:
    浅野秀文
ハーフメタルホイスラー合金多層膜の磁気特性とGMR効果
半金属Heusler合金多层薄膜的磁性能和GMR效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    竹田陽一;宍倉千恵子;中村泰貴;藤田裕人;浅野秀文
  • 通讯作者:
    浅野秀文
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

ASANO Hidefumi其他文献

ASANO Hidefumi的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('ASANO Hidefumi', 18)}}的其他基金

Study on spin-triplet high-temperature superconducting cooper pairs
自旋三重态高温超导铜对的研究
  • 批准号:
    23656214
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Analysis and control of spin polarization of half-metallic ferromagnets by the use of runneling junctions
利用隧道结分析和控制半金属铁磁体的自旋极化
  • 批准号:
    12450009
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

相似海外基金

新規反強磁性型ハーフメタル物質の創製と物質設計指針の確立
新型反铁磁半金属材料的创建和材料设计指南的建立
  • 批准号:
    22H00287
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
ハーフメタル型ホイスラー合金の電子構造制御機構の解明
阐明半金属霍斯勒合金的电子结构控制机制
  • 批准号:
    22K03527
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Spin-orbit-torque in inverse Heusler alloy films
反赫斯勒合金薄膜中的自旋轨道扭矩
  • 批准号:
    20K05296
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ハーフメタルホイスラー合金を用いた超伝導スピントロニクス素子の創製
使用半金属霍斯勒合金创建超导自旋电子器件
  • 批准号:
    20K05305
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Realization and application to spintronics of novel half metallic ternary transition-metal chalcogenides
新型半金属三元过渡金属硫属化物的实现及其在自旋电子学中的应用
  • 批准号:
    20K04558
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Electronic state of half-metal-type Heusler alloy proved by resonant inelastic soft X-ray scattering in magnetic field
磁场中共振非弹性软X射线散射证明半金属型霍斯勒合金的电子态
  • 批准号:
    18H01690
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Enhanced Functionality of Tunnel Magnetoresistive Devices by Interface Control of Fe3O4/Insulators
通过 Fe3O4/绝缘体的界面控制增强隧道磁阻器件的功能
  • 批准号:
    18H01465
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Invention of anomalous antiferromagnetic states in Heusler compounds
赫斯勒化合物中异常反铁磁态的发明
  • 批准号:
    17K06774
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Spin-dependent conduction mechanism of half-metallic Heusler alloys and applications to practical devices
半金属霍斯勒合金的自旋相关传导机制及其在实际器件中的应用
  • 批准号:
    17H06152
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Study of half-metallic Josephson devices for superconducting magnetoresistive random access memory
超导磁阻随机存储器半金属约瑟夫森器件的研究
  • 批准号:
    16K04933
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了