Fabrication of injection-type infrared light emitting devices for high-speed integrated circuits and investigation of the light emission mechanism

高速集成电路注射型红外发光器件的制作及发光机理研究

• 批准号: 20360144
• 负责人: NAKAMURA Yusui
• 金额: $ 12.23万
• 依托单位: Kumamoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360144/
• 关键词: 電気・電子材料; シリコンフォトニクス; 赤外発光素子; 発光素子; 酸化物; 希土類; 赤外光; 集積回路; 酸化珪素; エルビウム

It is important to establish optical interconnection technology for high-speed integrated circuits. We have proposed and developed a new light emitting device, which is composed of an Er-doped oxide layer sandwiched by wide bandgap semiconductors. Using the devices, we have successfully observed infrared electroluminescence at wavelength of 1.5μm from low operation voltage of 10V at room temperature.

建立高速集成电路的光互连技术具有重要意义。我们提出并发展了一种新的发光元件，它是由掺铒氧化层夹在宽禁带半导体。在室温下，在10V的低工作电压下，成功地观察到了1.5μm波长的红外电致发光。

项目成果

Optical Characterization and X-ray Photoelectron Spectroscopy of Erbium-Doped Silicon Suboxide Infrared Emitting at 1.5μm

1.5μm 掺铒低氧化硅红外发射的光学表征和 X 射线光电子能谱

• 发表时间: 2008
• 期刊: Jpn.J.Appl.Phys. Vol.47, No.12
• 作者: Y.Naka;N.Yamamoto;M.Kishi;D.Miyawaki;T.Yoshida;T.Minami;K.Ito;M.Tsuchiya;Y.Nakamura
• 通讯作者: Y.Nakamura

Er添加SiOx薄膜の1.5μm発光における内部量子効率測定

1.5μm 发射下 Er 掺杂 SiOx 薄膜的内量子效率测量

• 发表时间: 2009
• 作者: 疋田創;住吉猛;中野誠一;曽根田真也;高武明真;中良弘;山本直克;土屋昌弘;中村有水
• 通讯作者: 中村有水

Er添加SiOx薄膜の赤外発光における内部量子効率測定と作製条件の最適化

Er掺杂SiOx薄膜红外发射内量子效率的测量及制备条件优化

• 发表时间: 2009
• 作者: 住吉猛;疋田創;中野誠一;曽根田真也;高武明真;中良弘;山本直克;土屋昌弘;中村有水
• 通讯作者: 中村有水

Er添加SiOx薄膜の赤外発米における内部量子効率測定と作製条件の最適化

掺铒 SiOx 薄膜红外米生产中内量子效率测量及制备条件优化

• 发表时间: 2009
• 作者: K. Takahagi;M. Ohno;M. Ikebe;E. Sano;住吉猛
• 通讯作者: 住吉猛

1.5μm light emission from Er-doped low-x SiO_x with widegap semiconductor carrier injection layers

具有宽禁带半导体载流子注入层的掺铒低 x SiO_x 的 1.5μm 光发射

• 发表时间: 2008
• 作者: LAZEA Andrada;寺地徳之;小泉聡;Takanobu Kiss;Ken Takeuchi;高萩和宏,佐野栄一,池辺将之;楢原浩一;S. Soneda
• 通讯作者: S. Soneda