课题基金 / 基金详情

Fabrication of injection-type infrared light emitting devices for high-speed integrated circuits and investigation of the light emission mechanism

Fabrication of injection-type infrared light emitting devices for high-speed integrated circuits and investigation of the light emission mechanism
高速集成电路注射型红外发光器件的制作及发光机理研究
批准号：
20360144
负责人：
NAKAMURA Yusui
金额：
$12.23万
依托单位：
Kumamoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360144/
关键词：
電気・電子材料シリコンフォトニクス赤外発光素子発光素子酸化物希土類赤外光集積回路酸化珪素エルビウム

项目摘要

项目成果

NAKAMURA Yusui的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
It is important to establish optical interconnection technology for high-speed integrated circuits. We have proposed and developed a new light emitting device, which is composed of an Er-doped oxide layer sandwiched by wide bandgap semiconductors. Using the devices, we have successfully observed infrared electroluminescence at wavelength of 1.5μm from low operation voltage of 10V at room temperature.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Optical Characterization and X-ray Photoelectron Spectroscopy of Erbium-Doped Silicon Suboxide Infrared Emitting at 1.5μm
1.5μm 掺铒低氧化硅红外发射的光学表征和 X 射线光电子能谱
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Jpn.J.Appl.Phys. Vol.47, No.12
影响因子： --
作者： [Y.Naka, N.Yamamoto, M.Kishi, D.Miyawaki, T.Yoshida, T.Minami, K.Ito, M.Tsuchiya, Y.Nakamura]
通讯作者： Y.Nakamura
Er添加SiOx薄膜の1.5μm発光における内部量子効率測定
1.5μm 发射下 Er 掺杂 SiOx 薄膜的内量子效率测量
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [疋田創, 住吉猛, 中野誠一, 曽根田真也, 高武明真, 中良弘, 山本直克, 土屋昌弘, 中村有水]
通讯作者： 中村有水
Er添加SiOx薄膜の赤外発光における内部量子効率測定と作製条件の最適化
Er掺杂SiOx薄膜红外发射内量子效率的测量及制备条件优化
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [住吉猛, 疋田創, 中野誠一, 曽根田真也, 高武明真, 中良弘, 山本直克, 土屋昌弘, 中村有水]
通讯作者： 中村有水
1.5μm light emission from Er-doped low-x SiO_x with widegap semiconductor carrier injection layers
具有宽禁带半导体载流子注入层的掺铒低 x SiO_x 的 1.5μm 光发射
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [LAZEA Andrada, 寺地徳之, 小泉聡, Takanobu Kiss, Ken Takeuchi, 高萩和宏,佐野栄一,池辺将之, 楢原浩一, S. Soneda]
通讯作者： S. Soneda
共 29 条
    Mask-less lithography by individual control of ultra-violet light emitting diode array
    • 批准号：
      17560312
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.3万
    • 财政年份：
      2005
    • 负责人：
      NAKAMURA Yusui
    • 依托单位：
      Kumamoto University
    海外基金