Synthesis and luminescence tailoring of multinary nitride phosphors under the low-voltage electron beam irradiation

低压电子束照射下多元氮化物荧光粉的合成与发光调控

基本信息

  • 批准号:
    20360320
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.9万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2008 至 2010
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The role of Si playing in the luminescence and the solubility of Eu^<2+> in AlN was investigated by measuring the luminescence spectra and XRD patterns. It is understood that the doping of Si enhances the solubility of Eu2+ in AlN, and plays a key role in reducing the amount of impurity phases and in improving the cathodoluminescence of AlN:Eu,Si. It is clarified that Eu forms a single layer structure with the Si condensation between the AlN wurtzite blocks, based on the analytic results of EXAFS and HAADF-STEM techniques. In addition, the cathodoluminescence properties of nitride phosphors for white LEDs, such as La-Si-O-N:Ce^<3+>, β-sialon:Eu^<2+>, AlN-SiC:Eu^<2+>, γ-alon:Mn^<2+>, were investigated, through the bandgap engineering and surface modification. Among these, green β-sialon:Eu^<2+> and blue AlN-SiC:Eu^<2+> phosphors show interesting cathodoluminescence, enabling them to be used for field-emission devices.
通过测量发光光谱和X射线衍射谱,研究了Si在发光和Eu~(2+)&Gt~(2+)在AlN中的溶解度中所起的作用。据了解,Si的掺杂提高了Eu2+在AlN中的溶解度,在减少AlN:Eu,Si的杂质相数量和提高AlN:Eu,Si的阴极发光性能方面起着关键作用。EXAFS和HAADF-STEM分析结果表明,Eu与AlN纤锌矿之间的Si凝聚形成了单层结构。此外,通过带隙工程和表面修饰,研究了La-Si-O-N:Ce^&lt;3+&gt;,β-Sialon:Eu^&lt;2+&gt;,AlN-SiC:Eu^&lt;2+&gt;,γ-Alon:Mn^&lt;2+&gt;等白光LED用氮化物荧光粉的阴极发光特性。其中,绿色的β-sialon:Eu^&lt;2+&gt;和蓝色的AlN-SiC:Eu^&lt;2+&gt;荧光粉显示出有趣的阴极发光,使它们能够用于场发射器件。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
酸窒化物蛍光体の電子線励起特性
氮氧化物荧光粉的电子束激发特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    解栄軍;廣崎尚登;武田隆史;BenjaminDIERRE;関口隆史
  • 通讯作者:
    関口隆史
炭素熱還元窒化法によりY_3Si_6N_11:Ce^<3+>,蛍光体の合成と発光特性
碳热还原氮化法合成Y_3Si_6N_11:Ce^<3+>荧光粉及其发光性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    解栄軍,劉麗紅,広崎尚登,武田隆史,山本吉信
  • 通讯作者:
    解栄軍,劉麗紅,広崎尚登,武田隆史,山本吉信
Synthesis and Luminescence of AlN:Eu^<2+> Phosphors for Field Emission Displays
场致发射显示器用AlN:Eu^<2>荧光粉的合成与发光
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    解栄軍;廣崎尚登;武田隆史
  • 通讯作者:
    武田隆史
Optical Properties of Blue-Emitting Ce(x)Si(6-z)Al(z-x)O(z+1.5x)N(8-z-x) for White Light-Emitting Diodes
白光发光二极管发蓝光Ce(x)Si(6-z)Al(z-x)O(z 1.5x)N(8-z-x)的光学特性
Synthesis and luminescence of nitride phosphors for white LEDs and displays
白光 LED 和显示器用氮化物荧光粉的合成和发光
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    解栄軍;広崎尚登;武田隆史
  • 通讯作者:
    武田隆史
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

XIE Rong-Jun其他文献

XIE Rong-Jun的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似海外基金

III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
阐明III族氮化物半导体中的离子注入杂质激活机制和点缺陷控制
  • 批准号:
    23K21082
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
金属酸化物と固体窒素源を用いた金属窒化物の低温合成プロセスの開発
利用金属氧化物和固体氮源低温合成金属氮化物工艺的开发
  • 批准号:
    23K26370
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物超格子フォノニック結晶による室温熱輸送制御
使用氮化物超晶格声子晶体进行室温热传输控制
  • 批准号:
    23K26054
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物微結晶の高温分解過程解明による超耐熱性多元系窒化物ナノ複相構造膜の創製
阐明氮化物微晶高温分解过程制备超耐热多元氮化物纳米多层结构薄膜
  • 批准号:
    24K08109
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
希薄窒化物半導体発光層の複層化による室温での電界駆動超高速偏光変調の実現
多层稀氮化物半导体发光层实现室温电场驱动超快偏振调制
  • 批准号:
    24KJ0297
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究
使用多晶硅衬底的III族氮化物半导体平面发光器件的开发研究
  • 批准号:
    24K07603
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
縮退窒化物のMB効果を用いたAlGaN二次元電子ガスへのコンタクトとHEMT応用
利用简并氮化物的MB效应和HEMT应用接触AlGaN二维电子气
  • 批准号:
    24H00310
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
界面電荷・歪分極エンジニアリングの併用による窒化物半導体デバイス閾値電圧制御
使用界面电荷和应变极化工程控制氮化物半导体器件的阈值电压
  • 批准号:
    23K22815
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
超緻密窒化物セラミックスの合成と超硬質化メカニズムの解明
超致密氮化物陶瓷的合成及超硬化机理的阐明
  • 批准号:
    23K23039
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
氮化物半导体AlGaN的非极性面生长及深紫外LED应用
  • 批准号:
    23K23238
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.9万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了