Störstellen und Grenzflächendefekte in auf GaN-basierenden Bauelementestrukturen, untersucht mit elektrischen und photoelektrischen Spektroskopieverfahren

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In zunehmendem Maße verlagert sich die Forschung am Halbleitermaterial GaN auf die Integration des Materials in komplexe Schichtstrukturen. Mit diesen Bemühungen erlangen die Grenzflächeneigenschaften und die Störstellenstruktur in den einzelnen Schichten eine wachsende Bedeutung. Ziel des vorgesehenen Projekts ist es, auf der Grundlage der bisher vorrangig mit der optischen Admittanzspektroskopie gewonnenen Erkenntnisse zu tiefen Störstellen in GaN-Schichten, elektrisch wirksame Defektzustände und Grenzflächendefekte in Heterostrukturen sowie deren Einfluß auf die Bauelementeeigenschaften nachzuweisen. Die Untersuchung der Grenzflächen erfolgt über die Spannungs- und Frequenzabhängigkeit der Admittanzspektroskopie im auszubauenden Frequenzbereich bis zu 30 MHz. Der Störstellennachweis wird vorrangig durch die optische Admittanzspektroskopie in einem zu erweiternden Spektralbereich von 190nm bis 5µm durchgeführt. Als weitere Meßmethoden werden zusätzlich die thermische Admittanzspektroskopie und die DLTS eingesetzt. Der Einfluß von Defektzuständen auf die Bauelementeeigenschaften soll u.a. an Hand des Frequenzverhaltens, der Spannungsfestigkeit, der photoelektrischen Empfindlichkeit und dem Auftreten von transienten Speichereffekten nachgewiesen werden.