Bandstruktur und Störstellen in ternären Nitridverbindungen

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Das Forschungsvorhaben widmet sich den Kompensationsmechanismen und den daran beteiligten Defekten bei der p-Dotierung der Materialsysteme GaN und AlGaN. Hierbei sollen insbesondere die Unterschiede in den zwei Wachstumsmethoden MBE und MOVPE herausgearbeitet werden und die Rolle des Wasserstoffs in der Passivierung/Kompensation und beim Einbau der Magnesiumakzeptoren geklärt werden. Die Limitierungen in der Löcherkonzentration ließen sich dann vermeiden, wenn es gelingt Akzeptoren zu finden die bei gleich gutem Einbau eine geringere Bindungsenergie besitzen wie es die Theorie für Beryllium vorhersagt. Die experimentellen Untersuchungen zu Beryllium sollen diese Vorhersagen überprüfen und klarstellen, ob eine Selbstkompensation über amphoteres Verhalten des Be vorliegt. Das Ziel der Bandstrukturuntersuchung im ternären Legierungssystem AlInN ist die Aufklärung darüber, inwieweit dieses Materialsystem geeignet ist, als gitterangepaßte Barriere für GaN- oder InGaN-Schichten zu dienen.