Bandstruktur und Störstellen in ternären Nitridverbindungen

三元氮化物的能带结构和缺陷

• 批准号: 5372155
• 负责人: Professor Dr. Bruno Karl Meyer (†)
• 金额: --
• 依托单位: I. Physikalisches Institut
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1996-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5372155?language=en
• 关键词: Bandstruktur; und; St; rstellen; tern

Das Forschungsvorhaben widmet sich den Kompensationsmechanismen und den daran beteiligten Defekten bei der p-Dotierung der Materialsysteme GaN und AlGaN. Hierbei sollen insbesondere die Unterschiede in den zwei Wachstumsmethoden MBE und MOVPE herausgearbeitet werden und die Rolle des Wasserstoffs in der Passivierung/Kompensation und beim Einbau der Magnesiumakzeptoren geklärt werden. Die Limitierungen in der Löcherkonzentration ließen sich dann vermeiden, wenn es gelingt Akzeptoren zu finden die bei gleich gutem Einbau eine geringere Bindungsenergie besitzen wie es die Theorie für Beryllium vorhersagt. Die experimentellen Untersuchungen zu Beryllium sollen diese Vorhersagen überprüfen und klarstellen, ob eine Selbstkompensation über amphoteres Verhalten des Be vorliegt. Das Ziel der Bandstrukturuntersuchung im ternären Legierungssystem AlInN ist die Aufklärung darüber, inwieweit dieses Materialsystem geeignet ist, als gitterangepaßte Barriere für GaN- oder InGaN-Schichten zu dienen.

在材料系统GaN和AlGaN中，材料系统GaN和AlGaN的补偿机制与补偿机制是相互关联的。德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国当我们发现我们有一个新发现时，我们有一个新发现，我们有一个新发现，我们有一个新发现，我们有一个新发现，我们有一个新发现，我们有一个新发现，我们有一个新发现，我们有一个新发现。实验研究：铍电致发光<s:1>电致发光<e:1>与电致发光的关系。Das Ziel der Bandstrukturuntersuchung im ternären Legierungssystem alinist die Aufklärung dar<e:1> ber, in wiewedieses Materialsystem geeignet ist, als gitterangepaß the Barriere f<e:1> r GaN- oder InGaN-Schichten zu dienen。