Observation of transient emission in organic light-emitting devices

有机发光器件瞬态发射的观察

基本信息

  • 批准号:
    20560007
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.91万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2008 至 2010
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

For evaluation of operation mechanisms of the organic light-emitting devices (OLEDs), DC and transient response characteristics of OLEDs inserted a photo carrier generation layer were examined. Enhancement of current density under photo irradiation was observed by optimization of carrier generation layer and device structure. In addition, transient response of current was observed to suggest carrier injection at organic/metal interface.
为了评价有机电致发光器件(OLED)的工作机理,研究了插入光载流子产生层的有机电致发光器件的直流和暂态响应特性。通过优化载流子产生层和器件结构,观察到了光照射下电流密度的提高。此外,还观察到电流的瞬时响应,表明在有机/金属界面处有载流子注入。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
電子発生を利用したレーザ書込有機EL素子特性
利用电子发生的激光写入有机EL器件的特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大川;中;岡田
  • 通讯作者:
    岡田
Enhancement of Electron Injection in Organic Light-Emitting Diodes with Photosensitive Charge Generation Layer
具有光敏电荷生成层的有机发光二极管中电子注入的增强
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y.Okawa;S.Naka;H.Okada
  • 通讯作者:
    H.Okada
Enhancement of Carrier Injection of Organic Light-Emitting Diodes by External Light
外部光增强有机发光二极管的载流子注入
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大川;中;岡田
  • 通讯作者:
    岡田
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

NAKA Shigeki其他文献

NAKA Shigeki的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似海外基金

Non contact measurement of Semiconductor Properties
半导体特性的非接触式测量
  • 批准号:
    10074644
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant for R&D
Validation of predicted solution processed organic semiconductor properties
验证预测的溶液加工有机半导体特性
  • 批准号:
    DP220102124
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
電気分極由来の傾斜したバンド構造により発現する強誘電体の半導体物性
铁电体的半导体特性通过电极化产生的倾斜能带结构表现出来
  • 批准号:
    20KK0330
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (A))
Development of novel tetrabenzoporphyrins with excellent semiconductor properties
具有优异半导体性能的新型四苯并卟啉的开发
  • 批准号:
    16K05892
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Relationship between order-disorder transition and semiconductor properties in chalcopyrite phase ZnSnP_2
黄铜矿相ZnSnP_2有序-无序转变与半导体性能的关系
  • 批准号:
    21760599
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
蛍光EXAFS法による半導体中の極希薄原子周辺局所構造と半導体物性の解析
利用荧光 EXAFS 方法分析半导体中超稀原子周围的局域结构和半导体物理性质
  • 批准号:
    12750259
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
炭化ホウ素のCVD合成と熱電半導体物性
碳化硼的CVD合成及热电半导体性能
  • 批准号:
    01550589
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
黒リン単結晶の半導体物性の実験的・理論的研究
黑磷单晶半导体性能的实验与理论研究
  • 批准号:
    57460018
  • 财政年份:
    1982
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
弾性表面波の半導体物性研究への応用
声表面波在半导体物性研究中的应用
  • 批准号:
    X00090----255007
  • 财政年份:
    1977
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
Semiconductor Properties of Minerals
矿物的半导体特性
  • 批准号:
    7602721
  • 财政年份:
    1976
  • 资助金额:
    $ 2.91万
  • 项目类别:
    Standard Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了