Investigation of VHF plasmas with narrow gap under high gas pressure for the fabrication of microcrystalline silicon thin films.

研究高气压下窄间隙甚高频等离子体用于微晶硅薄膜的制造。

基本信息

  • 批准号:
    20560022
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2008 至 2010
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Characteristics of VHF plasmas with narrow gap under high gas pressure were experimentally and numerically investigated. Simultaneously, the suitable power feeding method-balanced power feed was proposed. The measurement results of the plasma parameters showed that the elctron density was a few times higher and the electron temperature was lower in the case of the balanced power feed. In addition, the simulation results indicated that the plasma potential was lower. As a result of preparation of the microcrystalline silicon thin films, it was considered that the balanced power feed is advantageous for high speed deposition and low ion damage.
对高气压下窄间隙甚高频等离子体的特性进行了实验和数值研究。同时提出了合适的供电方式——平衡供电。等离子体参数测量结果表明,平衡供电情况下,电子密度提高数倍,电子温度降低。此外,模拟结果表明等离子体电势较低。作为微晶硅薄膜制备的结果,认为平衡供电有利于高速沉积和低离子损伤。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Observation of Negative Ions in VHF SiH_4/H_2 Plasma
VHF SiH_4/H_2 等离子体中负离子的观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y.Kawai;T.Yamane;Y. Takeuchi;Y.Yamauchi;H.Takatsuka;H.Muta;K.Uchino
  • 通讯作者:
    K.Uchino
Investigation of Plasma Paramclers in a VHF Plasma with Narrow Gapunder High Gaseous Pressure
高气压下窄间隙甚高频等离子体中等离子体参数的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H Muta;S;Kishida;M. Tanaka;Y. Yamauchi;T. Baba. Y. Takcuchi;H. Takatsuka. Y. Kawai
  • 通讯作者:
    H. Takatsuka. Y. Kawai
バラン給電法によるVHFプラズマの特性
使用巴伦馈电方法的 VHF 等离子体的特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    水野健太;松岡正典;牟田浩司;西田哲;栗林志頭眞;竹内良昭;山内康弘;高塚汎
  • 通讯作者:
    高塚汎
Analysis of Si Deposition Using Under-expanded Supersonic Jet in SiH_4/H_2 PE-CVD
SiH_4/H_2 PE-CVD中欠膨胀超音速射流硅沉积分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S.Nishida;Y.Tsunekawa;M.Ukai;D.Ando;N.Okamoto;S.Tanaka;N.Tanaka;J.Nakamura;Y.Nomura;H.Muta;S.Kuribayashi
  • 通讯作者:
    S.Kuribayashi
高圧狭ギャップVHFプラズマの数値シミュレーション
高压窄间隙VHF等离子体的数值模拟
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高比良将;丸尾幸一郎;牟田浩司;西田哲;栗林志頭眞
  • 通讯作者:
    栗林志頭眞
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High speed fabrication of large-area microcrystalline silicon films using VHF plasma with an under-expanded supersonic jet
使用 VHF 等离子体和欠膨胀超音速射流高速制造大面积微晶硅薄膜
  • 批准号:
    25390108
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 3.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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