Fundamental study for charge-density-wave soliton devices
Fundamental study for charge-density-wave soliton devices
电荷密度波孤子器件的基础研究
批准号：
20560313
负责人：
INAGAKI Katsuhiko
金额：
$2.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
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英文摘要
Fundamental study for charge-density-wave devices which exploit macroscopic quantum states was conducted. Experiments were performed on non-local transport phenomena of bulk samples and fabrication technique of nanocrystal electrodes. A new type of non-local transport phenomenon was found in the charge-density-wave state of quasi-one-dimensional conductor o-TaS3. This is explained in terms of motion of topological defects.
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Nonlocal transport in the charge density waves of o-TaS3
o-TaS3 电荷密度波中的非局域传输
o-TaS3 电荷密度波中的非局域传输
DOI：
10.1103/physrevb.81.113101
发表时间：
2009
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
[K. Inagaki, M. Tsubota, S. Tanda]
通讯作者：
S. Tanda
擬一次元導体o-TaS3 における位相すべり電圧
准一维导体 o-TaS3 中的相滑电压
准一维导体 o-TaS3 中的相滑电压
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[稲垣克彦, 坪田雅功, 丹田聡]
通讯作者：
丹田聡
ナノスケール電荷密度波系の作成と電子物性III
纳米级电荷密度波系统的创建和电子特性III
纳米级电荷密度波系统的创建和电子特性III
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[稲垣克彦, 他]
通讯作者：
他
Nonlocal transport in the charge density wave of o-TaS3
o-TaS3 电荷密度波中的非局域输运
o-TaS3 电荷密度波中的非局域输运
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
Physical Review B 81
影响因子：
--
作者：
[Katsuhiko Inagaki, 他]
通讯作者：
他
擬一次元導体o-TaS3における位相すべり電圧
准一维导体 o-TaS3 中的相滑电压
准一维导体 o-TaS3 中的相滑电压
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[稲垣克彦, 他]
通讯作者：
他
共 11 条
Improvement of educational environment for robot and mechatronics engineers by using educational facilities for computer literacy
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批准号：21500956
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.25万
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财政年份：2009
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负责人：INAGAKI Katsuhiko
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依托单位：
Ultrasonic-photonic local probe microscopy
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批准号：11650025
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.3万
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财政年份：1999
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负责人：INAGAKI Katsuhiko
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依托单位：
海外基金