Role of Electrical Forming Process in Resistive Switching Effect of Nickel Oxide Thin Films

电成形工艺在氧化镍薄膜电阻开关效应中的作用

• 批准号: 20860047
• 负责人: NISHI Yusuke
• 金额: $ 2.1万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20860047/
• 关键词: 不揮発性メモリ; 構造・機能材料; 表面・界面物性; 抵抗変化; 酸化物; 欠陥準位; スパッタリング; 結晶性

Resistive Random Access Memory (ReRAM) consisting of nickel oxide (NiO) is one of the promising simple devices for a new generation nonvolatile memory. However, fundamental properties of the oxides and resistive switching mechanisms have not been fully understood yet. In the study, we focused on the electrical forming process and the oxygen composition of the NiO thin films and investigated the resistive switching property and defects in the films. By admittance spectroscopy and the activation energy of the resistances in both initial state and high-resistance state, band conduction with holes thermally excited from the defect level located at 170meV above the valence band edge may be dominant in the Pt/NiO_<1.07>/Pt stacking structure.

由氧化镍 (NiO) 组成的电阻式随机存取存储器 (ReRAM) 是新一代非易失性存储器中最有前途的简单器件之一。然而，氧化物的基本特性和电阻开关机制尚未完全了解。在研究中，我们重点研究了NiO薄膜的电形成过程和氧成分，并研究了薄膜的阻变特性和缺陷。通过导纳谱和初始态和高阻态电阻的活化能，价带边缘以上170meV的缺陷能级热激发空穴的带导可能在Pt/NiO_<1.07>/Pt堆叠结构中占主导地位。

项目成果

ニッケル酸化物(NiO)/n+-Si接合のアドミッタンス法によるNiO中の欠陥準位の検出

通过氧化镍 (NiO)/n+-Si 结导纳法检测 NiO 中的缺陷水平

• 发表时间: 2008
• 作者: 西佑介;鈴木亮太;木本恒暢
• 通讯作者: 木本恒暢

抵抗変化型不揮発性メモリ用Ni0薄膜の構造および電気特性へのアニール効果

退火对阻变非易失性存储器用Ni0薄膜结构和电性能的影响

• 发表时间: 2008
• 作者: 西佑介;木本恒暢
• 通讯作者: 木本恒暢

ニッケル酸化物(Ni0)/n^+-Si接合のアドミッタンス法によるNi0中の欠陥準位の検出

氧化镍(Ni0)/n^+-Si结导纳法检测Ni0中的缺陷水平

• 发表时间: 2008
• 作者: 西佑介;鈴木亮太;木本恒暢
• 通讯作者: 木本恒暢

ニッケル酸化物の抵抗変化を用いた不揮発性メモリの基礎研究

利用氧化镍电阻变化的非易失性存储器的基础研究

• 发表时间: 2009
• 作者: 西佑介;岩田達哉;木本恒暢
• 通讯作者: 木本恒暢

抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜の構造および電気特性へのアニール効果

退火对变阻非易失性存储器用NiO薄膜结构和电学性能的影响

• 发表时间: 2008
• 作者: 西佑介;木本恒暢
• 通讯作者: 木本恒暢