High Resolution Mapping of Single Event Transient Current Due to High Energy Heavy Ion

高能重离子引起的单粒子瞬态电流的高分辨率映射

• 批准号: 20760051
• 负责人: ONODA Shinobu
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Japan Atomic Energy Agency
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760051/
• 关键词: シングルイベント過渡電流; トランジスタ; マッピング; 放射線; 電界効果トランジスタ; MOSFET

The map of transient current induced by a single ion at silicon carbide transistors is measured. The mechanism of transient current is analyzed by using numerical device simulator. On the other hand, the novel mapping system has been developed. By using ZnS as a phosphor, the map of transient current is successfully observed although the spatial resolution is about several tens of micrometers. By using YAG:Ce and Diamond instead of ZnS, the spatial resolution increases about tenfold.

测量了碳化硅晶体管中单个离子感应的瞬态电流图。利用数值器件模拟器对瞬态电流的机理进行了分析。另一方面，新颖的地图系统已经开发出来。通过使用ZnS作为荧光粉，尽管空间分辨率约为几十微米，但仍成功观察到瞬态电流图。通过使用 YAG:Ce 和金刚石代替 ZnS，空间分辨率提高了约十倍。

项目成果

Charge Enhancement Effects in 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Strike

重离子撞击引起的 6H-SiC MOSFET 中的电荷增强效应

• 发表时间: 2010
• 期刊: IEEE Transactions on Nuclear Science
• 影响因子: 1.8
• 作者: S. Onoda;T. Makino;N. Iwamoto;G. Vizkelethy;K. Kojima;S. Nozaki;T. Ohshima
• 通讯作者: T. Ohshima

単一の重イオンが6H-SiC MOSFETに誘起する過渡電流の位置依存性

单个重离子在 6H-SiC MOSFET 中感应的瞬态电流的位置依赖性

• 发表时间: 2009
• 作者: 佐藤司;永井学志;小野田忍
• 通讯作者: 小野田忍

単一の重イオンが6H-SiC MOSFETのドレイン誘起する過渡電流

6H-SiC MOSFET 漏极中单个重离子感应的瞬态电流

• 发表时间: 2010
• 作者: 小野田忍;岩本直也;小野修一;片上崇治;新井学;河野勝泰;大島武;小野田忍;小野田忍;小野田忍;小野田忍
• 通讯作者: 小野田忍

単一イオンが半導体に誘起する電荷のマッピング技術の検討

检查单离子在半导体中感应的电荷的映射技术

• 发表时间: 2010
• 作者: 小野田忍;岩本直也;小野修一;片上崇治;新井学;河野勝泰;大島武;小野田忍;小野田忍;小野田忍;小野田忍;小野田忍
• 通讯作者: 小野田忍

重イオンビームを用いたシングルイベント効果の評価技術

使用重离子束的单粒子效应评估技术

• 发表时间: 2010
• 作者: 小野田忍;岩本直也;小野修一;片上崇治;新井学;河野勝泰;大島武;小野田忍;小野田忍
• 通讯作者: 小野田忍