Coulomb blockade and spin dependent tunnelling in a magnetic single electron transistor

磁性单电子晶体管中的库仑阻塞和自旋相关隧道

• 批准号: 5377355
• 负责人: Professor Dr. Christian Back
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Experimentelle und Angewandte Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5377355?language=en
• 关键词: Coulomb; blockade; spin; dependent; tunnelling

An einem planaren System auf isolierten Co-Nanoclustern, die in einer dielektrischen Matrix eingebettet sind, soll der Einfluß der Coulomb-Blockade auf den spinabhängigen Tunnelstrom untersucht werden. Der Tunnelstrom fließt dabei in Schichtebene von einem Co-Teilchen zum benachbarten Co-Teilchen und wird über nanostrukturierte Au- bzw. Ni-Elektroden (Source- und DrainElektroden) in dieses zweidimensionale Netzwerk der Co-Partikel injiziert. Im Idealfall wird ein einzelnes Co-Partikel über zwei Tunnelkontakte an zwei ferromagnetischen Ni-Elektroden angebunden. Zusammen mit einem sogenannten Back-Gate (dotiertes Si-Substrat) bildet die so definierte Struktur einen magnetischen Einzel-Elektron-Transistor. Die Coulomb-Blockade ist eine Folge der starken Elektron-Elektron-Wechselwirkung in metallischen Nanopartikeln. Die relative Magnetisierung benachbarter Co-Partikel führt über den spin-valve Effekt zusätzlich zu einem spinabhängigen Tunnelwiderstand (TMR-Effekt). Werden die magnetischen Momente im äußeren Magnetfeld parallel zueinander ausgerichtet, so sinkt der Tunnelwiderstand. In theoretischen Arbeiten wurde zudem eine Erhöhung des TMR-Effekts vorausgesagt wenn sich das System im Bereich der Coulomb-Blockade befindet. In temperaturabhängigen Tunnelstrommessungen bei 1,5 °K bis 300 °K und einem äußeren Magnetfeld bis 7 Tesla soll vor allem dieser Effekt eingehend untersucht werden.

本文介绍了一种由等碳纳米团簇组成的平面图系统，该系统可直接从母体中取出，并在此基础上解决了这一问题。在Schichtebene von einem Co-Teilchen zum Benachbarten Co-Teilchen and wirdüber Nano Strukturierte au-BZW.Ni-Elektroden(Source-and Drain Elektroden)in Schichtebene von einem Co-Teilchen zum Benachbarten Co-Teilchen and wirdüber Nano Strukturierte au-BZW.Ni-Elektroden(Source-and Drain Elektroden)in Schichtebene von einem Co-Teilchen zum Benachbarten Co-Teilchen zum Benachbarten Co-Teilchen and wird ber Nanoüber Nano Strukturierte au-BZW.Ni-Elektroden(我是Zinzelnes Co-Partikelüber Zwei Tunnelkontakte和Zwei铁磁公司的合伙人。Zusamman MIT einem sgenannten Back-Gate(dotiertes Si-衬底)双层模具如此明确的结构Einzel-Elektron-晶体管。库仑-封锁金属纳米材料中的斯塔肯电子-电子-电子设备。相对磁力易货公司自旋阀效应(TMR-Effekt)。Werden Die Magtischen Momente Imäu？Eren Magnetfeld平行排列，因此下沉到隧道宽阔的地段。在这一理论中，库仑-库仑-封锁是一种有效的经济和社会保障体系。在温度范围内，1，5°K双300°K和Einemäuüeren Magnetfeld Bis 7 Tesla soll vor Allem Dieser Effekt Effekht ehn是不存在的。