Coulomb blockade and spin dependent tunnelling in a magnetic single electron transistor

一个孤立的Co纳米团簇的平面系统，在一个介电矩阵中，解决了库仑阻塞对自旋隧道韦尔登的影响。隧道在一个Co-Teilchen的Schichtebene中飞行，形成一个Co-Teilchen，并形成Au- bzw纳米结构。Ni-Elektroden（源和漏Elektroden）在Co-Partikel injiziert的二维网络中。我的理想是一个两个隧道连接和两个铁磁镍电极的Co-Partikel。用一个专门的背栅（硅衬底）制作一个磁性电子晶体管。库仑阻塞是金属纳米粒子中的一个电子-电子-微电子耦合的分支。Die relative Magnetisierung benachbarter Co-Partikel führt über den spin-valve Effekt zusätzlich zu einem spinabhängigen Tunnelwiderstand（TMR-Effekt）.韦尔登的磁动量与其他磁场平行，因此沉入隧道中。从理论上讲，当库伦封锁系统被发现时，劳动力就会产生TMR效应。在1.5 °K到300 °K的温度范围内，一个磁场到7特斯拉的温度范围内，所有这些效应都将导致韦尔登。

An einem planaren System auf isolierten Co-Nanoclustern, die in einer dielektrischen Matrix eingebettet sind, soll der Einfluß der Coulomb-Blockade auf den spinabhängigen Tunnelstrom untersucht werden. Der Tunnelstrom fließt dabei in Schichtebene von einem Co-Teilchen zum benachbarten Co-Teilchen und wird über nanostrukturierte Au- bzw. Ni-Elektroden (Source- und DrainElektroden) in dieses zweidimensionale Netzwerk der Co-Partikel injiziert. Im Idealfall wird ein einzelnes Co-Partikel über zwei Tunnelkontakte an zwei ferromagnetischen Ni-Elektroden angebunden. Zusammen mit einem sogenannten Back-Gate (dotiertes Si-Substrat) bildet die so definierte Struktur einen magnetischen Einzel-Elektron-Transistor. Die Coulomb-Blockade ist eine Folge der starken Elektron-Elektron-Wechselwirkung in metallischen Nanopartikeln. Die relative Magnetisierung benachbarter Co-Partikel führt über den spin-valve Effekt zusätzlich zu einem spinabhängigen Tunnelwiderstand (TMR-Effekt). Werden die magnetischen Momente im äußeren Magnetfeld parallel zueinander ausgerichtet, so sinkt der Tunnelwiderstand. In theoretischen Arbeiten wurde zudem eine Erhöhung des TMR-Effekts vorausgesagt wenn sich das System im Bereich der Coulomb-Blockade befindet. In temperaturabhängigen Tunnelstrommessungen bei 1,5 °K bis 300 °K und einem äußeren Magnetfeld bis 7 Tesla soll vor allem dieser Effekt eingehend untersucht werden.